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來源： 內(nèi)容編譯自 tom'SHARDWARE

曾經(jīng)價格低廉的固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）、動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM，Dynamic Random Access Memory）和機械硬盤（HDD，Hard Disk Drive），如今價格正快速攀升。人工智能（AI）需求激增與供應(yīng)受限的雙重作用，正造就多年來最緊張的市場格局。

幾乎所有分析公司與內(nèi)存制造商如今都在警告：NAND 閃存與 DRAM 內(nèi)存即將出現(xiàn)短缺，未來數(shù)月乃至數(shù)年，固態(tài)硬盤與內(nèi)存價格將大幅飆升，部分機構(gòu)甚至預(yù)測短缺可能持續(xù)十年。這一潛在短缺已愈發(fā)難以忽視，行業(yè)發(fā)出的警告也愈發(fā)嚴峻——人工智能數(shù)據(jù)中心的巨大需求，已開始占據(jù)全球內(nèi)存與閃存產(chǎn)能的主導地位。

過去兩年多來，存儲升級一直是電腦攢機者難得的 “好消息”。2023 年，固態(tài)硬盤價格暴跌至歷史最低點，高性能 NVMe 固態(tài)硬盤的售價甚至與普通機械硬盤相差無幾。DRAM 內(nèi)存也緊隨其后，價格跌至近十年未見的低位。但到了 2024 年，形勢徹底逆轉(zhuǎn)，NAND 閃存與 DRAM 內(nèi)存價格雙雙開啟上漲通道。

這一轉(zhuǎn)變根源在于內(nèi)存制造的周期性特征，但本次周期中，人工智能與超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商（hyperscalers）的極端需求進一步放大了這一趨勢。最終結(jié)果是全行業(yè)范圍的供應(yīng)緊縮，幾乎覆蓋所有領(lǐng)域：從消費級固態(tài)硬盤、DDR4 內(nèi)存套裝，到企業(yè)級存儲陣列、大容量機械硬盤出貨量，所有品類都呈現(xiàn)出一個共同趨勢——成本集體上漲，這種全面漲價的態(tài)勢是市場多年來未曾出現(xiàn)過的。

從供應(yīng)過剩到短缺：市場的劇烈反轉(zhuǎn)

2022 年至 2023 年初的行業(yè)低迷期，讓內(nèi)存制造商陷入困境。當時 NAND 閃存與 DRAM 內(nèi)存均低于成本價銷售，庫存大量積壓。為 “止血”，制造商紛紛大幅減產(chǎn)。到 2023 年下半年，減產(chǎn)效應(yīng)逐漸傳導至銷售渠道：曾跌至歷史低點的 512Gb TLC（三級單元）NAND 閃存芯片現(xiàn)貨價格，在短短六個月內(nèi)上漲超 100%，合約價格也隨之攀升。

這種價格反彈很快反映在零售市場上：2024 年初，西部數(shù)據(jù)（Western Digital）2TB Black SN850X 固態(tài)硬盤售價突破 150 美元；同期，三星（Samsung）990 Pro 2TB 固態(tài)硬盤價格從節(jié)假日期間的約 120 美元，飆升至 175 美元以上。

DRAM 內(nèi)存市場的趨勢比 NAND 閃存晚一個季度，但走勢如出一轍。2023 年還被當作 “清倉品” 的 DDR4 內(nèi)存模塊，因生產(chǎn)線開始減產(chǎn)而陷入供應(yīng)緊張。據(jù)預(yù)測，2025 年第三季度（Q3 2025）消費級 DDR4 內(nèi)存價格將環(huán)比上漲 38%-43%，服務(wù)器級 DDR4 內(nèi)存價格也將緊隨其后，環(huán)比上漲 28%-33%。就連顯存市場也開始承壓：下一代顯卡轉(zhuǎn)向圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 7 代（GDDR7，Graphics Double Data Rate 7）內(nèi)存，導致 GDDR6 內(nèi)存供應(yīng)缺口擴大，價格上漲約 30%；而當前主流的 DDR5 內(nèi)存，雖漲幅相對溫和，但上升趨勢已十分明確。

機械硬盤也面臨自身的供應(yīng)限制。2024 年 4 月，西部數(shù)據(jù)通知合作伙伴，因供應(yīng)有限，將把機械硬盤價格上調(diào) 5%-10%。與此同時，市場研究機構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）近期指出，數(shù)據(jù)中心使用的大容量近線機械硬盤（nearline HDDs）出現(xiàn)短缺。這一短缺迫使部分工作負載轉(zhuǎn)向閃存，進一步加劇了 NAND 閃存的供應(yīng)緊張。

人工智能的 “無盡需求”：本輪短缺的核心推手

每一輪內(nèi)存市場周期都有一個或多個觸發(fā)因素：過去是智能手機普及，隨后是固態(tài)硬盤筆記本電腦興起，再到云存儲爆發(fā)。而本輪需求激增的核心驅(qū)動力，是人工智能。訓練與部署大型語言模型需要海量內(nèi)存與存儲支持——一個訓練集群中的單個 GPU 節(jié)點，就可能消耗數(shù)百 GB 的 DRAM 內(nèi)存和數(shù) TB 的閃存存儲；在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心中，這一需求規(guī)模更是驚人。

OpenAI 的Stargate項目近期已與三星、SK 海力士（SK hynix）簽署協(xié)議，每月采購多達 90 萬片 DRAM 晶圓。僅這一訂單規(guī)模，就占全球 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)量的近 40%。無論最終是否能完全兌現(xiàn)采購量，這類協(xié)議的存在本身就表明：人工智能企業(yè)正以極大規(guī)模鎖定內(nèi)存供應(yīng)。

云服務(wù)提供商的行為也如出一轍。高密度 NAND 閃存產(chǎn)品已提前數(shù)月售罄：三星下一代 V9 NAND 閃存尚未發(fā)布，訂單就已幾乎滿額；美光科技 2026 年底前的高帶寬內(nèi)存（HBM，High Bandwidth Memory）產(chǎn)量，也已幾乎全部預(yù)售完畢。曾經(jīng)僅覆蓋一個季度的供應(yīng)合約，如今期限已延長至數(shù)年，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商更是直接向源頭廠商采購。

價格上漲的連鎖反應(yīng)：消費者端亦難幸免

供應(yīng)短缺的連鎖反應(yīng)已傳導至消費者市場。樹莓派（Raspberry Pi）雖在行業(yè)低迷期囤積了內(nèi)存，但受內(nèi)存成本上漲影響，不得不在 2025 年 10 月上調(diào)產(chǎn)品價格：其計算模塊 4（Compute Module 4）與計算模塊 5（Compute Module 5）的 4GB 版本漲價 5 美元，8GB 版本漲價 10 美元。樹莓派首席執(zhí)行官埃本·厄普頓（Eben Upton）在官網(wǎng)聲明中指出：“當前內(nèi)存成本較一年前上漲了約 120%。”

投資重心轉(zhuǎn)移：加劇主流產(chǎn)品供應(yīng)緊張

短缺并非單純由需求增速過快導致，供應(yīng)方向的調(diào)整也是重要原因。過去十年，NAND 閃存與 DRAM 內(nèi)存制造商已吸取教訓：無節(jié)制的產(chǎn)能擴張往往導致行業(yè)崩盤——每一輪繁榮過后，隨之而來的供應(yīng)過剩都會侵蝕利潤，因此本輪周期中，制造商的應(yīng)對更為克制。

三星、SK 海力士、美光科技均已將資本支出轉(zhuǎn)向 HBM 與先進制程節(jié)點。其中 HBM 因利潤率極高，成為優(yōu)先級最高的領(lǐng)域：美光 2026 年的全部 HBM 產(chǎn)量已被預(yù)訂，而每一片用于生產(chǎn) HBM 的晶圓，都意味著少一片用于生產(chǎn) DRAM 的晶圓。NAND 閃存領(lǐng)域的情況類似，制造商的研發(fā)精力與產(chǎn)能正集中于面向企業(yè)客戶的 3D QLC（四級單元）NAND 閃存。

中國臺灣最大的NAND閃存控制器企業(yè)群聯(lián)電子（Phison Electronics）的首席執(zhí)行官表示，正是這種資本支出的轉(zhuǎn)向，將導致未來十年供應(yīng)持續(xù)緊張。他在近期采訪中稱：“NAND 閃存明年將面臨嚴重短缺，我認為未來十年供應(yīng)都會處于緊張狀態(tài)。” 當被問及原因時，他解釋道：“兩點原因：首先，以往每次閃存制造商加大投資，都會導致價格崩盤，且從未收回投資成本；其次，2023 年美光與 SK 海力士因 HBM 利潤率誘人，將大量資本支出轉(zhuǎn)向該領(lǐng)域，留給閃存的投資就更少了?！?/p>

這種投資轉(zhuǎn)移進一步加劇了主流產(chǎn)品的供應(yīng)緊張：DDR4 內(nèi)存的減產(chǎn)速度超過了需求下降速度；曾經(jīng)供應(yīng)充足的 TLC NAND 閃存，如今也因制造商將資源投向高利潤領(lǐng)域而面臨配額限制，導致那些雖較老舊但仍不可或缺的領(lǐng)域（如部分消費級產(chǎn)品）供應(yīng)不足。

存儲領(lǐng)域也呈現(xiàn)類似態(tài)勢：NAND 閃存與機械硬盤首次同時面臨供應(yīng)限制。從歷史規(guī)律看，以往二者往往 “此漲彼跌”——一方價格高企時，另一方可作為 “緩沖選擇”。但訓練大型 AI 模型需要處理 PB 級數(shù)據(jù)，而這些數(shù)據(jù)必須有存儲載體：其中 “溫數(shù)據(jù)”（warm data）通常存儲在數(shù)據(jù)中心的近線機械硬盤中，但當前需求已高到大容量機械硬盤的交貨周期延長至一年以上。

近線機械硬盤短缺迫使部分超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商加速部署 QLC 閃存陣列——這雖解決了機械硬盤的瓶頸，卻又制造了新的問題：將需求壓力重新傳導至 NAND 閃存供應(yīng)鏈。固態(tài)硬盤首次在過去因 “每 GB 成本過高” 而無法涉足的領(lǐng)域（如部分溫數(shù)據(jù)存儲）實現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。最終結(jié)果是 “雙向擠壓”：機械硬盤因供應(yīng)限制漲價，固態(tài)硬盤則因云服務(wù)商介入填補空缺而價格堅挺。

為何不建造更多晶圓廠？多重限制下的無奈

晶圓廠確實在建設(shè)中，但這類項目成本高昂且投產(chǎn)周期長（在美國尤為明顯）。一座新建內(nèi)存晶圓廠造價高達數(shù)百億美元，且需要數(shù)年時間才能實現(xiàn)量產(chǎn)；即便對現(xiàn)有產(chǎn)線進行擴建，也需要數(shù)月的設(shè)備安裝與校準——而阿斯麥（ASML）、應(yīng)用材料（Applied Materials）等設(shè)備供應(yīng)商本身就面臨嚴重的訂單積壓。

此外，制造商也警惕重蹈覆轍：若未來需求降溫或企業(yè)囤積后暫停采購，產(chǎn)能過剩的市場可能導致價格暴跌。2019 年和 2022 年的行業(yè)崩盤教訓仍歷歷在目，這使得企業(yè)即便面對當前看似 “無盡” 的 AI 需求，也不愿輕易押注長期周期——畢竟不少人認為，當前可能正處于人工智能泡沫之中。

地緣政治進一步加劇了這一困境。先進光刻設(shè)備出口管制、稀土元素限制等政策，使得機械硬盤晶圓廠的擴建計劃更為復雜。機械硬盤依賴釹磁鐵（Neodymium magnets）——這是需求最旺盛的稀土材料之一，而機械硬盤也是全球最大的稀土磁鐵應(yīng)用領(lǐng)域之一。目前中國主導全球稀土材料生產(chǎn)，且在中美持續(xù)貿(mào)易戰(zhàn)中，已將限制磁鐵供應(yīng)作為對美反制措施之一。

即便有足夠資金建設(shè)新廠，所需設(shè)備與材料的供應(yīng)鏈本身也存在限制；加之半導體工程領(lǐng)域的人才短缺，進一步延緩了產(chǎn)能擴張進程。最終結(jié)果是制造商 “刻意保持克制”——選擇以更高利潤出售現(xiàn)有供應(yīng)，而非承擔再次崩盤的風險。

市場前景：價格高企或成常態(tài)，消費者與企業(yè)均受影響

制造商的這種保守策略短期內(nèi)恐難改變。對消費者而言，這意味著 “超低價電腦升級” 時代的終結(jié)；對企業(yè)客戶而言，則需要更高的基礎(chǔ)設(shè)施預(yù)算——存儲陣列、服務(wù)器、GPU 集群都需要更多內(nèi)存，且成本更高。許多超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商會使用多家供應(yīng)商的定制控制器自行生產(chǎn)固態(tài)硬盤；Pure Storage（純存儲公司）等大型企業(yè)則會大規(guī)模采購 NAND 閃存，為人工智能數(shù)據(jù)中心打造全閃存陣列。部分超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商已通過 “提前數(shù)年鎖定供應(yīng)” 應(yīng)對短缺，但缺乏議價能力的小型運營商則面臨更長的交貨周期與更高的成本。

無論是消費者還是企業(yè)，靈活性都在下降：消費者可選擇推遲升級或接受更小容量，但整體而言，這將減緩大容量硬盤與更大內(nèi)存配置的普及速度；而對企業(yè)來說，鑒于內(nèi)存在人工智能與云工作負載中的關(guān)鍵作用，幾乎只能被動承擔成本上漲。

市場最終會實現(xiàn)再平衡，但何時實現(xiàn)尚無法預(yù)測。目前已有政府激勵措施支持新建晶圓廠，若未來需求增長放緩或采購停滯，市場周期可能重新轉(zhuǎn)向供應(yīng)過剩。

但在此之前，NAND 閃存、DRAM 內(nèi)存、機械硬盤價格在 2026 年之前可能仍將居高不下。企業(yè)級采購商將繼續(xù)享有優(yōu)先供應(yīng)權(quán)，消費者則需爭奪剩余資源；而我們曾習以為常的 “季節(jié)性降價”，短期內(nèi)可能不會重現(xiàn)。

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。

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