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來源 ： 內(nèi)容來自編譯自zdnet 。

過去幾年拉動(dòng)行業(yè)景氣度的高帶寬內(nèi)存（HBM），將因競爭加劇而增長放緩；反觀動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）與閃存（NAND Flash），則有望憑借供需平衡實(shí)現(xiàn)良好業(yè)績。

根據(jù) iM 證券 6 日發(fā)布的報(bào)告，2025 年 DRAM 需求增長率已上調(diào)至 19.3%，小幅高于行業(yè) 18.1% 的生產(chǎn)增長率。展望 2026 年，受全球經(jīng)濟(jì)放緩影響，DRAM 需求增長率預(yù)計(jì)為 14.1%，生產(chǎn)增長率預(yù)計(jì)為 14.2%。

NAND Flash 也呈現(xiàn)類似趨勢。2026 年 NAND Flash 需求增長率預(yù)計(jì)為 13.8%，生產(chǎn)增長率預(yù)計(jì)為 14.0%，供需將保持平衡。

iM 證券分析師宋明燮指出：“HBM 在 2024-2025 年經(jīng)歷了爆發(fā)式增長，但 2026 年隨著競爭對手進(jìn)入市場、供應(yīng)規(guī)模擴(kuò)大，其增長速度很可能放緩?！?與之相對，他分析稱：“長期處于價(jià)格下跌態(tài)勢的 NAND Flash，目前已觸底，未來有相對走強(qiáng)的空間?！?/p>

智能手機(jī)、服務(wù)器需求成關(guān)鍵變量

需求層面，智能手機(jī)與服務(wù)器被視為核心影響變量。

2025 年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)將增長 0.7%，優(yōu)于此前 - 0.4% 的預(yù)期。美國與印度市場的強(qiáng)勁需求、半導(dǎo)體關(guān)稅征收延期等因素，起到了積極推動(dòng)作用。

服務(wù)器市場方面，隨著大型科技企業(yè)持續(xù)加大資本支出（Capex），2026 年出貨增長率預(yù)計(jì)將達(dá) 4.7%。分析認(rèn)為，這一增長得益于人工智能（AI）的普及與數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張需求的支撐。

不過，市場仍面臨不少風(fēng)險(xiǎn)因素。若當(dāng)前免稅的半導(dǎo)體被征收高關(guān)稅，可能導(dǎo)致 IT 設(shè)備價(jià)格上漲，進(jìn)而引發(fā)需求放緩。

宋明燮分析師警告稱：“關(guān)稅政策變化是可能對存儲(chǔ)行業(yè)景氣度造成重大沖擊的外部變量，尤其可能直接影響智能手機(jī)與服務(wù)器的需求。”

https://zdnet.co.kr/view/?no=20251003210557

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