前言

長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)硅電容市場(chǎng)普遍被村田、羅姆、京瓷、威世、MACOM、微芯、Skyworks、Empower、Elohim等海外廠商掌握話語(yǔ)權(quán)，產(chǎn)品價(jià)格較為高昂。而充電頭網(wǎng)發(fā)現(xiàn)近期多家國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步發(fā)表在硅電容領(lǐng)域的研究成果，同時(shí)部分企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)與海外頭部企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技。那么究竟有哪些國(guó)內(nèi)企業(yè)在硅電容領(lǐng)域有所布局，下文中我們將為您詳細(xì)介紹。

硅電容性能優(yōu)勢(shì)

在電子元器件領(lǐng)域，MLCC電容作為最常見(jiàn)的基礎(chǔ)無(wú)源器件成為高性能處理器濾波、去耦的首選元件，在大多數(shù)處理器濾波、去耦電路中都能看到它的身影。然而，隨著Ai數(shù)據(jù)中心高密度計(jì)算應(yīng)用的興起，高性能處理器瞬態(tài)電流逐年增長(zhǎng)，傳統(tǒng)MLCC逐步在高頻響應(yīng)層面逐漸顯現(xiàn)出局限性。

硅電容正是在這一背景下受到廣泛關(guān)注，其基于半導(dǎo)體工藝制造，具備極低的ESR/ESL和優(yōu)異的高頻特性，可穩(wěn)定工作在GHz級(jí)，同時(shí)在體積、厚度和可靠性方面表現(xiàn)突出，并能與IC高度集成。雖然相比MLCC，硅電容的容量范圍有限且成本更高，但在高頻應(yīng)用中，其一致性和穩(wěn)定性?xún)?yōu)勢(shì)使其成為不可替代的選擇。

可見(jiàn)在多項(xiàng)參數(shù)上，硅電容具備性能優(yōu)勢(shì)。

國(guó)產(chǎn)硅電容企業(yè)

國(guó)產(chǎn)硅電容企業(yè)的相關(guān)信息已經(jīng)匯總至上表，下文為您詳細(xì)介紹。

AURORA天極科技

充電頭網(wǎng)了解到，廣州天極電子科技股份有限公司成立于2011年，是福建火炬電子科技股份有限公司的控股子公司。公司主要從事微波無(wú)源元器件及薄膜集成產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售，產(chǎn)品應(yīng)用于軍用雷達(dá)、電子對(duì)抗、精確制導(dǎo)、衛(wèi)星通信等國(guó)防軍工領(lǐng)域以及5G通信、光通信等民用領(lǐng)域。

天極科技旗下?lián)碛形⒉ü杌酒娙萜鳟a(chǎn)線，采用二氧化硅/氮化硅等薄膜材料作為電介質(zhì)，具有體積小、Q值高、溫度系數(shù)小、擊穿電壓高、泄漏電流低等特點(diǎn)，產(chǎn)品可靠性高。天極科技硅基芯片電容器通常用于隔離直流、射頻旁路、或用作濾波器、振蕩器和匹配網(wǎng)絡(luò)中的固定電容調(diào)諧元件，在50Ω系統(tǒng)中較陶瓷電容器具有更高的Q和更低的插入損耗。產(chǎn)品提供多種組裝方式，可采用環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)電膠、焊料及引線鍵合的工藝封裝。

另外，充電頭網(wǎng)還注意到到天極科技于2024年12月申請(qǐng)名為“一種硅電容器及其制備方法”的專(zhuān)利，專(zhuān)利摘要提到：“本發(fā)明提供的硅電容器優(yōu)化了條形立柱的刻蝕形貌以及導(dǎo)電層的填充形貌，提高電容器的電性能、容量密度、可靠性以及集成度，由此本發(fā)明提供的硅電容器可取代傳統(tǒng)的貼片電容應(yīng)用于高頻高速電路中，與現(xiàn)有微電子工藝兼容，擴(kuò)展性好?！?/p>

INSTON凌存

凌存科技利用8與12 吋 CMOS半導(dǎo)體后段工藝研發(fā)制造高性能硅電容器。凌存科技利用先進(jìn) PVD 和 CVD 技術(shù)，可以精確地在電容器內(nèi)部沉積電極和介電層，可生產(chǎn)更致密、更均勻的介電層，并且改進(jìn)的電極與介電層之間的接觸面，進(jìn)而顯著提高電容器的可靠性。另外凌存科技嚴(yán)格控制工藝流程。確保了生產(chǎn)一致性，使我們的電容器具有高均一性與可靠性。

除了可靠性之外，凌存科技的硅電容器還具備其他出色的性能，包括優(yōu)越的電壓穩(wěn)定性（<0.001%/V）和溫度穩(wěn)定性（<50ppm/K）。目前凌存科技針對(duì)不同應(yīng)用提供三種系列硅電容器產(chǎn)品：HQ、VE 和 HC 系列。

Huatai Elec蘇州華太電子

充電頭網(wǎng)了解到，蘇州華太電子主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、專(zhuān)用模擬芯片、工控SoC芯片、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，并提供大功率封測(cè)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等大功率場(chǎng)景。

蘇州華太電子于2022年，申請(qǐng)一項(xiàng)名為“硅電容及其制作方法”的專(zhuān)利，摘要顯示：“本發(fā)明公開(kāi)了一種硅電容及其制作方法。所述硅電容包括：依次層疊設(shè)置的硅襯底、阻擋層、絕緣介質(zhì)層和金屬層，其中，所述硅襯底包括摻雜磷雜質(zhì)的單晶硅或多晶硅。本發(fā)明實(shí)施例提出以低阻值太陽(yáng)能級(jí)硅替代電子級(jí)硅的方案，降低晶圓制備中硅的純度要求，更加節(jié)能環(huán)保，并且該方案不僅可以完全匹配當(dāng)前硅電容工藝，還大大降低了硅電容成本，同時(shí)通過(guò)增加阻擋層，可以更好的減小電容漏電并提高可靠性。”

nanomacro宏納科技

2016年，無(wú)錫宏納科技申請(qǐng)一線名為“電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容”的專(zhuān)利，專(zhuān)利摘要提到：本發(fā)明公開(kāi)了一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容，包括硅襯底；所述硅襯底的最上層為一層第一硅氧化物；所述硅襯底上表面由豎直方向開(kāi)設(shè)有溝槽；溝槽的側(cè)面為傾斜狀；由溝槽的開(kāi)口處到溝槽底端，溝槽的橫截面越來(lái)越小；溝槽的高度大于溝槽的寬度最寬處；沿溝槽最內(nèi)層為一層重?fù)诫s硅；重?fù)诫s硅之外為一層第二硅氧化物；第二硅氧化物的上表面與溝槽開(kāi)口處的第一硅氧化物的內(nèi)表面對(duì)齊；在第二硅氧化物的上表面之上、溝槽內(nèi)部，填充有多晶硅。在相同的溝槽深度下，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中的電容面積大于現(xiàn)有技術(shù)，由基本的電路的原理中的電容定義可知，本發(fā)明的電容數(shù)值更大。

SENWAN森丸電子

充電頭網(wǎng)了解到，森丸電子深耕無(wú)源器件領(lǐng)域十余年，是國(guó)內(nèi)首家掌握硅電容設(shè)計(jì)與制造全鏈技術(shù)的企業(yè)。公司已實(shí)現(xiàn)多款產(chǎn)品的量產(chǎn)交付，累計(jì)出貨數(shù)億顆，廣泛服務(wù)于光通信、射頻電路及電源管理等高端應(yīng)用。森丸硅電容具備高電容密度、高耐壓、低寄生參數(shù)、低溫漂和高可靠性等優(yōu)勢(shì)，為客戶(hù)提供穩(wěn)定高效的無(wú)源集成解決方案。

目前，森丸已形成涵蓋溝槽硅電容（DTC）、MIM表貼電容、MIS電容及玻璃MIM電容（GMIM）在內(nèi)的完整產(chǎn)品矩陣：DTC適用于高速收發(fā)模塊供電去耦與信號(hào)耦合，MIM憑借小體積和高精度適合射頻匹配電路，MIS則以高耐壓和穩(wěn)定性用于耦合、濾波與匹配網(wǎng)絡(luò)，而GMIM依托玻璃基材在高頻場(chǎng)景中表現(xiàn)出更低損耗和更高Q值。

宏衍微電子

宏衍微電子主要從事3D硅電容器的產(chǎn)品研發(fā)、設(shè)計(jì)。其2017年申請(qǐng)的“具有溝槽結(jié)構(gòu)的高容量硅電容器”專(zhuān)利已經(jīng)得到技術(shù)驗(yàn)證，基于自身專(zhuān)利，現(xiàn)今宏衍微電子旗下?lián)碛?DSC和HQSC兩大系列硅電容器在高容量、高頻率、耐高溫、更小等方面都已經(jīng)做到了世界最前沿水平，突破了國(guó)內(nèi)在硅電容器方面的空白。通過(guò)和PiCOsem conductor、ARTRONICS、Pines、SNI、浦項(xiàng)工大納米研究中心、韓國(guó)中央大學(xué)、納米綜合技術(shù)院、廈門(mén)大學(xué)、揚(yáng)州晶新微電子、愛(ài)特微半導(dǎo)體等公司合作完成了設(shè)計(jì)和封裝，制造等工藝全流程研發(fā)。產(chǎn)品主要應(yīng)用于：應(yīng)用于高端醫(yī)療、軍工 、航天、通信基站，移動(dòng)終端，物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

充電頭網(wǎng)了解到，目前國(guó)內(nèi)硅電容產(chǎn)業(yè)仍處于發(fā)展初期，目前僅有部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)硅電容產(chǎn)品，其余多為專(zhuān)利布局、研發(fā)探索階段或少批量出貨階段。與國(guó)際巨頭相比，國(guó)產(chǎn)企業(yè)在規(guī)?；a(chǎn)品一致性和高端應(yīng)用仍待大規(guī)模應(yīng)用驗(yàn)證，但在技術(shù)進(jìn)步和政策支持層面引導(dǎo)下正在加速追趕。

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