誰(shuí)說(shuō)半導(dǎo)體都拼算力?
當(dāng)AI席卷一切,算力似乎成了半導(dǎo)體領(lǐng)域的唯一主角。
但有一類芯片偏偏不湊這個(gè)熱鬧,其既不參與算力競(jìng)爭(zhēng),也不依賴先進(jìn)制程,甚至對(duì)光刻機(jī)都沒(méi)有需求,性能的飛躍靠特色工藝的打磨和材料創(chuàng)新。
正因如此,這類芯片在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的過(guò)程里,反而率先有望殺出重圍!
這就是功率半導(dǎo)體!
簡(jiǎn)單說(shuō),功率半導(dǎo)體不像CPU那樣精于復(fù)雜計(jì)算,主要功能是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換和控制。比如,手機(jī)充電的過(guò)程里,就是功率半導(dǎo)體把墻上的交流電轉(zhuǎn)化成手機(jī)電池需要的直流電。
而且,功率半導(dǎo)體是個(gè)大家族,從基礎(chǔ)的單向閥功率二極管,到高頻高速的MOSFET和駕馭高壓大電流的IGBT,再到碳化硅(SiC)等新材料,各有絕活。
即使是一個(gè)小充電器的內(nèi)部,也往往含有多顆MOSFET、二極管等功率半導(dǎo)體,配合管理著電力。
如今,無(wú)論是汽車、光伏、家用電器還是消費(fèi)電子等領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體幾乎遍布所有用電的場(chǎng)景,可以說(shuō)是一切現(xiàn)代電氣設(shè)備的隱形支柱!
更重要的是,當(dāng)前全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)是百花齊放的,即便英飛凌,安森美居于前列,但2024年兩龍頭的合計(jì)市占率只有26%,不像邏輯、存儲(chǔ)芯片那樣形成壟斷格局。
這就給我國(guó)企業(yè)帶來(lái)了難得的競(jìng)爭(zhēng)縫隙。
再加上近年來(lái)國(guó)內(nèi)在新能源汽車、光伏和5G等下游產(chǎn)業(yè)一路高速奔跑,更為國(guó)內(nèi)企業(yè)提供了強(qiáng)勁的需求牽引。
如今來(lái)看,我國(guó)企業(yè)已然在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)撕開(kāi)了口子。截至2024年底,功率半導(dǎo)體整體的國(guó)產(chǎn)化率已經(jīng)沖到15%-20%,技術(shù)門(mén)檻更高的IGBT和SiC功率器件領(lǐng)域更是有近35%!
在這一進(jìn)程中,華潤(rùn)微、士蘭微和揚(yáng)杰科技等力量都功不可沒(méi),這幾家企業(yè)都已經(jīng)在中低壓MOSFET、IGBT等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn),逐步斬下國(guó)產(chǎn)替代的份額。
其中,士蘭微的進(jìn)擊勢(shì)頭,尤為強(qiáng)勢(shì)!
要知道,2024年,全球功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)323億美元,這樣一個(gè)群狼環(huán)伺的環(huán)境里,士蘭微竟以3.3%的份額殺進(jìn)了全球第六,是前十榜單上唯一的國(guó)產(chǎn)面孔。
而且,2025年半年報(bào)顯示,士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收63.36億元,同比增長(zhǎng)20.14%;凈利潤(rùn)則實(shí)現(xiàn)2.65億元,同比猛增了1162.42%!這背后,便離不開(kāi)功率半導(dǎo)體和分立器件的支撐。
問(wèn)題來(lái)了,士蘭微做對(duì)了什么?
一來(lái),IGBT和SiC同時(shí)押注。
我們知道,傳統(tǒng)IGBT是基于硅材料的復(fù)合器件,而SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體材料,物理特性的優(yōu)勢(shì)是壓倒性的。
SiC的熱導(dǎo)率是硅的3倍以上,電子飽和速度是硅的2倍,擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度更是硅的8倍。這就讓SiC天生耐高溫高壓,適合高頻高效的場(chǎng)景,成本自然也更高。
如今來(lái)看,技術(shù)代差直接劃定了兩者的主戰(zhàn)場(chǎng)。
一邊是IGBT堅(jiān)守性價(jià)比,在中低端車型、家用空調(diào)等領(lǐng)域牢牢盤(pán)踞;一邊就是SiC主攻高端,在800V高壓平臺(tái)、高端電源等場(chǎng)景持續(xù)向上突破。
而面對(duì)技術(shù)路線分化,士蘭微直接選擇了全都要,IGBT與SiC齊頭并進(jìn)。
在IGBT方面,士蘭微自主研發(fā)的IGBT至今已迭代了5次,憑借實(shí)力進(jìn)入了比亞迪、吉利和零跑等車企供應(yīng)鏈,最新一代IGBT已經(jīng)對(duì)海內(nèi)外的知名模塊封裝廠實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。
在SiC方面,士蘭微同樣勢(shì)如破竹,其第Ⅱ代SiC-MOSFET芯片所生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主驅(qū)動(dòng)模塊,已經(jīng)累計(jì)出貨2萬(wàn)顆,第Ⅳ代SiC芯片和模塊也已送樣評(píng)測(cè),技術(shù)節(jié)奏咬緊先進(jìn)步伐。
這背后,是士蘭微對(duì)研發(fā)的重注!
2020-2024年,其研發(fā)費(fèi)用從4.29億元增至10.34億元,2025年上半年也達(dá)到4.78億元,而且研發(fā)費(fèi)用率常年保持在10%左右,整體水平高過(guò)揚(yáng)杰科技、新潔能等同行。
要知道的是,過(guò)去為了搶占市場(chǎng)份額,士蘭微本就犧牲了部分利潤(rùn)空間,加上承受了發(fā)光二極管產(chǎn)品的虧損,2023年以來(lái)其毛利率只在20%左右,比揚(yáng)杰科技、華潤(rùn)微都要低。
就在這種局面下,士蘭微仍不減研發(fā),也足以看出對(duì)技術(shù)迭代的執(zhí)著程度。
二來(lái),走IDM模式,掌握產(chǎn)能命脈。
IDM模式,簡(jiǎn)單說(shuō)就是從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造到封裝測(cè)試,全產(chǎn)業(yè)鏈一手抓。相比輕資產(chǎn)的Fabless模式,IDM能使企業(yè)實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈自主。
士蘭微之所以敢在IGBT和SiC上雙線投入,或許也是得益于其走IDM模式的底氣。
2025年上半年,隨著產(chǎn)品在新能源汽車、光伏等市場(chǎng)持續(xù)放量,士蘭微的產(chǎn)線火力全開(kāi),8英寸、12英寸的IGBT芯片產(chǎn)能都實(shí)現(xiàn)了滿載。
不僅如此,2025年半年報(bào)顯示,其子公司士蘭明鎵已經(jīng)形成了月產(chǎn)1萬(wàn)片6英寸SiC-MOSFET能力,產(chǎn)能規(guī)模殺進(jìn)國(guó)內(nèi)第一梯隊(duì)。
2025年上半年,士蘭微的功率半導(dǎo)體與分立器件業(yè)務(wù)的營(yíng)收達(dá)30.08億元,同比增長(zhǎng)了25%。其中汽車、光伏的IGBT和SiC模塊營(yíng)收同比增幅超80%,是拉動(dòng)增長(zhǎng)的重要引擎。
這還只是開(kāi)始。
為了承接中遠(yuǎn)期新能源汽車和光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的需求,士蘭微已經(jīng)安排技改資金進(jìn)一步提升12英寸IGBT的產(chǎn)能;子公司士蘭集宏更預(yù)計(jì)在2025年第四季度實(shí)現(xiàn)8英寸SiC的大線通線。
后面隨著產(chǎn)能繼續(xù)爬坡、技術(shù)不斷突破,士蘭微也有望成為國(guó)產(chǎn)替代中最鋒利的刀刃之一!
當(dāng)然,IDM從來(lái)不是輕松的路。
IDM模式的確能實(shí)現(xiàn)好的產(chǎn)業(yè)協(xié)同,但高投入是與生俱來(lái)的負(fù)擔(dān),畢竟這種模式需要投入巨額資金建設(shè)晶圓產(chǎn)線。也因此,2022年開(kāi)始士蘭微的資本開(kāi)支就爬上了10億元的大關(guān)。
隨之而來(lái)的就是高折舊。
隨著廠房設(shè)備逐步轉(zhuǎn)為固定資產(chǎn),相關(guān)成本不會(huì)一次性計(jì)入,而會(huì)以折舊的形式持續(xù)攤銷多年。哪怕工廠不運(yùn)轉(zhuǎn),這筆費(fèi)用也照常發(fā)生,直接侵蝕利潤(rùn)。
反映在數(shù)據(jù)上,2020-2024年間,士蘭微的折舊攤銷總額從4.66億元快速增至12.58億元,年復(fù)合增速高達(dá)28.18%。
2025年上半年,其折舊攤銷費(fèi)用也有6.9億元,拖累凈利率達(dá)到2.1%,盈利能力顯得薄弱。
不過(guò)話又說(shuō)回來(lái),用現(xiàn)在的投入換未來(lái)的自主,這或許也是士蘭微必須經(jīng)歷的戰(zhàn)略性陣痛。
未來(lái),要是士蘭微能進(jìn)一步承接實(shí)現(xiàn)需求完成產(chǎn)能爬坡,等到規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn),其現(xiàn)在被折舊侵蝕的利潤(rùn),也有望轉(zhuǎn)化為業(yè)績(jī)釋放的彈性。
總之,國(guó)產(chǎn)替代的路上,士蘭微不會(huì)止步。
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