黃仁勛現(xiàn)身臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那的工廠

AI背后是芯片。

芯片的背后則是工廠。

周五，英偉達(dá)與臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那的工廠，首次亮相首片Blackwell芯片晶圓。

黃仁勛

這些晶圓最終將用來制作用于人工智能的Blackwell芯片。

黃仁旭在現(xiàn)場(chǎng)說：「你們制造出了令人難以置信的東西，但你們終將意識(shí)到，你們是更為歷史性事件的一部分」。

黃仁勛

其實(shí)，早在今年4月份，黃仁勛就拿出5000億美元豪賭美國(guó)本土的AI芯片制造，所謂「MadeinUSA」。

大半年過去，終于，最強(qiáng)芯片Blackwell首次在「美國(guó)本土造」出來了！

將世界級(jí)AI芯片制造遷到美國(guó)本土

將臺(tái)積電的尖端制造能力引入美國(guó)，「芯片之父」稱之為「一項(xiàng)神來之筆，更是足以改變行業(yè)格局的里程碑?！?/p>

當(dāng)我創(chuàng)辦臺(tái)積電時(shí)，我曾有一個(gè)夢(mèng)想，那就是在美國(guó)建造晶圓廠。

而今，夢(mèng)想成真。

在鳳凰城的廠區(qū)內(nèi)，生產(chǎn)的齒輪已經(jīng)提前開始轉(zhuǎn)動(dòng)。

而這里的總投資額，也已經(jīng)攀升至一個(gè)驚人的數(shù)字——1650億美元。

在人工智能的世界里，英偉達(dá)是所有贏家中的佼佼者。

但即便是這位AI之王，也毫不諱言地承認(rèn)：「沒有臺(tái)積電，這一切都無法實(shí)現(xiàn)?！?/strong>

我們能在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上，集成數(shù)十億個(gè)晶體管。我們發(fā)明了GPU，徹底革新了計(jì)算機(jī)圖形學(xué)和人工智能。

我們開創(chuàng)了加速計(jì)算的時(shí)代，而這一切，都憑借著他們（臺(tái)積電）為我們打造的芯片。

在慶?；顒?dòng)上，黃仁勛與臺(tái)積電運(yùn)營(yíng)副總裁共同登臺(tái)，在這片Blackwell晶圓上簽名，以紀(jì)念這一里程碑。

它展示了驅(qū)動(dòng)全球AI基礎(chǔ)設(shè)施的引擎正開始在美國(guó)本土制造。

這片作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料的晶圓，將經(jīng)過分層、光刻（patterning）、蝕刻和切割等一系列復(fù)雜工藝，最終成型為英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)所提供的超高性能、加速計(jì)算AI芯片。

臺(tái)積電亞利桑那州工廠將生產(chǎn)包括2納米、3納米和4納米芯片以及A16芯片在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)，這些對(duì)于AI、電信和高性能計(jì)算等應(yīng)用都至關(guān)重要。

臺(tái)積電

對(duì)于美國(guó)來說，這個(gè)宏大的項(xiàng)目，其意義早已超越了科技本身——它更象征著制造業(yè)的回歸。

我們正在將就業(yè)機(jī)會(huì)帶回美國(guó)，建設(shè)能夠基業(yè)長(zhǎng)青的芯片制造業(yè)。

這或許是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國(guó)迎來的最重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

新一代芯片美國(guó)本土下線

Blackwell是英偉達(dá)新一代AI超級(jí)芯片。

Blackwell架構(gòu)第一次是在2024年3月18日的GTC大會(huì)上正式由黃仁勛在主旨演講中首次對(duì)外公布的。

英偉達(dá)新一代AI超級(jí)芯片

簡(jiǎn)單介紹下Blackwell的基礎(chǔ)架構(gòu)。

晶體管數(shù)/規(guī)模：Blackwell架構(gòu)GPU擁有約2080億個(gè)晶體管。

工藝/芯片制造：Blackwell芯片采用NVIDIA與TSMC合作定制的4NP工藝。

芯片互連：為了突破單片硅片（reticle）面積限制，Blackwell GPU由兩個(gè)子芯片組成，通過一種新的高帶寬接口互聯(lián)（NV-HBI）連接速度可達(dá)10TB/s（每秒10太字節(jié)）。通過這種方式，兩個(gè)子芯片可以在邏輯上看作一個(gè)統(tǒng)一的GPU，從而實(shí)現(xiàn)「全性能鏈接」。

英偉達(dá)新一代AI超級(jí)芯片

在GTC 2025上，黃仁勛提到Blackwell目前已處于「全面量產(chǎn)/全面投入」?fàn)顟B(tài)。

這次終于首片晶圓由美國(guó)本土生產(chǎn)下線。

接下來，Balckwell之后的系列，都有望在美國(guó)生產(chǎn)。

Blackwell后面是Blackwell Ultra，作為Blackwell架構(gòu)的下一步演進(jìn)版，用于應(yīng)對(duì)更大模型推理、更高性能/帶寬需求的AI推理與訓(xùn)練場(chǎng)景。

Blackwell的下一代是由Rubin GPU + Vera CPU組成的「Vera Rubin」超芯片/平臺(tái)。

黃仁勛在2025年GTC上公布，計(jì)劃2026年下半年上市，目標(biāo)是下一階段的大模型訓(xùn)練與推理。

英偉達(dá)的芯片路線圖里把Feynman標(biāo)為Rubin的后繼架構(gòu)，時(shí)間窗口指向2028 年。

在它之前會(huì)先在2027年推出Rubin Ultra。

黃仁勛介紹產(chǎn)品

參考資料：

https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/

https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/

本文來自微信公眾號(hào)“新智元”，作者：新智元，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。