英特爾代工業(yè)務(wù)近日發(fā)布一段展示先進(jìn)封裝技術(shù)的短片，提出通過Foveros 3D與EMIB-T互連，將芯粒規(guī)模擴(kuò)展到傳統(tǒng)光刻視場(chǎng)面積（約830平方毫米）12倍的宏大構(gòu)想。根據(jù)介紹，這一方案可在單一封裝內(nèi)容納多達(dá)16顆計(jì)算芯片，并搭配24顆HBM5高帶寬內(nèi)存模塊，面向未來超大規(guī)模算力需求。

在該設(shè)計(jì)中，基礎(chǔ)芯片（base die）采用18A-PT制程制造，并引入背面供電（backside power delivery）以提升邏輯密度與可靠性，同時(shí)在其上集成類似“Clearwater Forest”架構(gòu)的SRAM結(jié)構(gòu)。這些基礎(chǔ)芯片為上層計(jì)算芯粒提供“地基”，而計(jì)算芯粒將使用更先進(jìn)的14A或14A-E節(jié)點(diǎn)打造，具備第二代RibbonFET晶體管以及PowerDirect等新一代供電技術(shù)。

Foveros Direct 3D互連通過超細(xì)間距混合鍵合實(shí)現(xiàn)垂直堆疊，而EMIB-T則在封裝內(nèi)部采用穿硅通孔（TSV），在多個(gè)芯粒間提供更高帶寬的互聯(lián)能力。這種組合不僅突破了單一光刻視場(chǎng)的尺寸限制，還被規(guī)劃為同時(shí)兼容HBM4、HBM5以及未來版本的HBM高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，以滿足AI加速、HPC等領(lǐng)域?qū)捄腿萘坎粩嗵嵘男枨蟆?/p>

隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn)，英特爾還描繪了功耗高達(dá)5000 W的GPU設(shè)計(jì)藍(lán)圖，并計(jì)劃通過集成式電壓調(diào)節(jié)器（IVR）以及Foveros-B等封裝方案，在2027年前后將此類超高功耗GPU推向現(xiàn)實(shí)。公司此前已經(jīng)為現(xiàn)已停產(chǎn)的“Ponte Vecchio”加速卡打造過復(fù)雜封裝形態(tài)，而即將登場(chǎng)的“Jaguar Shores”AI加速器也被視為這一技術(shù)路線的延續(xù)與升級(jí)。

為支撐上述路線，英特爾正持續(xù)擴(kuò)充封裝產(chǎn)能，例如其在馬來西亞建設(shè)的Project Pelican封裝廠已投產(chǎn)EMIB與Foveros封裝能力，以服務(wù)自家與外部客戶。隨著更多芯片設(shè)計(jì)公司開始考慮采用英特爾的14A工藝與EMIB封裝方案，英特爾在高端封裝領(lǐng)域正被視為臺(tái)積電CoWoS體系的有力競(jìng)爭(zhēng)者之一。