光刻機(jī)，是當(dāng)前芯片制造流程中，最核心最重要的一環(huán)。因?yàn)閹缀跛写笠?guī)模量產(chǎn)芯片的技術(shù)，都離不開光刻，所以就離不開光刻機(jī)。

而為了卡住中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的脖子，美國(guó)限制ASML將先進(jìn)的光刻機(jī)賣給中國(guó)，特別是EUV光刻機(jī)，連先進(jìn)的浸潤(rùn)式DUV，也不準(zhǔn)賣。

而光刻機(jī)，與芯片工藝是對(duì)應(yīng)的，EUV光刻機(jī)對(duì)應(yīng)的是7nm以下的芯片制造，而浸潤(rùn)式光刻機(jī)，先進(jìn)的型號(hào)，可以制造7nm芯片。

所以美國(guó)的目的很直接，那就是鎖住我們，不能往7nm以下工藝進(jìn)發(fā)，因?yàn)檫@樣那么先進(jìn)的芯片我們制造不出來(lái)，就得找美國(guó)買，美國(guó)就卡住我們了，可以獲得經(jīng)濟(jì)上的，政治上的利益。

但是經(jīng)過這么多年的努力，很明顯，美國(guó)限制ASML的光刻機(jī)銷售，即將沒有意義了，因?yàn)槲覀円呀?jīng)有2個(gè)方向，有突破了，未來(lái)不需要EUV，我們也一樣能夠制造出5nm芯片出來(lái)。

第一個(gè)方向，是NIL納米壓印，佳能之前就制造出來(lái)了能制造5nm芯片的納米壓印機(jī)，可以替代EUV光刻機(jī)的。

而國(guó)內(nèi)璞璘科技，也制造出了首臺(tái)PL-SR系列噴墨步進(jìn)式納米壓印設(shè)備，線寬<10nm，可以用于芯片、封測(cè)等領(lǐng)域，同樣可以制造5nm及以來(lái)的芯片。

第二個(gè)方向是EBL電子束技術(shù)，浙江大學(xué)成果轉(zhuǎn)化基地，推出了首臺(tái)國(guó)產(chǎn)商業(yè)化電子束光刻機(jī) “羲之”，其精度達(dá) 0.6nm、線寬 8nm，無(wú)需掩膜版，也能夠直接制造5nm及以下的芯片。

這兩個(gè)方向，都是可以替代EUV光刻機(jī)的方向，有了這樣的設(shè)備，不需要EUV一樣能制造先進(jìn)芯片。

目前這兩種設(shè)備，都不是PPT，是已經(jīng)研發(fā)出來(lái)了，交付給客戶在進(jìn)行測(cè)試，以及與相關(guān)其它設(shè)備的聯(lián)調(diào)，最終建設(shè)整個(gè)生產(chǎn)線。

當(dāng)然，缺點(diǎn)也不是沒有，因?yàn)樾酒圃焓且徽椎?，光刻機(jī)只是其中一環(huán)，還需要其它設(shè)備配合，國(guó)內(nèi)的這兩種設(shè)備，目前還缺這一整套芯片制造生態(tài)，需要一點(diǎn)時(shí)間。

另外就是這兩種設(shè)備，功率效率上還比不過EUV光刻機(jī)，但相信迭代幾次后，就能夠一定程度上替代EUV了，就像EUV第一代，也不行一樣。

所以說，真的要不了多久，美國(guó)不允許ASML將EUV賣給我們，也沒有意義，我們可以繞道超定，用另外的方向，制造出自己的先進(jìn)芯片，到時(shí)候所謂的芯片禁令就成廢紙，芯片戰(zhàn)爭(zhēng)徹底結(jié)束。