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來源 ： 內(nèi)容 編譯自 chosun 。

隨著DRAM半導(dǎo)體庫存跌至歷史最低水平，分析認(rèn)為，七年來首個“半導(dǎo)體超級周期”正在蓄勢待發(fā)。近期，受人工智能熱潮推動的HBM（高帶寬存儲器）需求激增、NVIDIA的供應(yīng)商選擇以及特朗普政府加征的關(guān)稅等因素影響，全球存儲器半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速變革。然而，所有情況都表明DRAM需求將增加，而供應(yīng)將出現(xiàn)短缺，因此人們預(yù)期，長期超級周期可能會持續(xù)數(shù)年。

據(jù)市場研究公司 TrendForce 的數(shù)據(jù)，截至今年第三季度末，全球 DRAM 供應(yīng)商的平均庫存為 3.3 周，創(chuàng)歷史新低。這與 2018 年半導(dǎo)體超級周期期間 3-4 周的平均庫存水平相似。盡管 DRAM 買家的平均庫存約為 10 周，但需求依然強(qiáng)勁。

需求激增始于人工智能 (AI)。隨著人工智能熱潮的興起，用于 AI 訓(xùn)練和運(yùn)營的英偉達(dá) (NVIDIA) AI 加速器的價(jià)值不斷提升，導(dǎo)致搭載于這些加速器中的 HBM 需求激增。HBM 的制造過程類似于公寓，將 DRAM 堆疊捆綁在一起。三星電子等內(nèi)存半導(dǎo)體公司已將其 DRAM 生產(chǎn)線轉(zhuǎn)為 HBM 使用，導(dǎo)致 DRAM 整體產(chǎn)量下降。此外，2017 年至 2018 年期間大規(guī)模建設(shè)的數(shù)據(jù)中心即將迎來服務(wù)器更新?lián)Q代，這增加了服務(wù)器中使用的通用 DRAM 的需求。與 DRAM 一起搭載于服務(wù)器的 eSSD 的需求也在激增。

面對供應(yīng)短缺，半導(dǎo)體公司并未倉促增產(chǎn)，而是持續(xù)進(jìn)行長期投資。一位科技行業(yè)人士表示：“特朗普發(fā)起的關(guān)稅政策等不確定性因素太多，所以我們會從長遠(yuǎn)角度考慮生產(chǎn)設(shè)施的投資?！?隨著中國企業(yè)進(jìn)軍高帶寬存儲器（HBM）市場，無限期增產(chǎn)DRAM已變得愈發(fā)困難。

由于供應(yīng)跟不上需求，價(jià)格飆升。據(jù)TrendForce 29日報(bào)道，通用產(chǎn)品“DDR4 8Gb”價(jià)格持續(xù)上漲，達(dá)到6,350美元，創(chuàng)下年內(nèi)新高?！癉DR5 16G”價(jià)格為7,535美元，較年初上漲逾40%。據(jù)報(bào)道，三星電子和SK海力士計(jì)劃在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提高DRAM價(jià)格。

預(yù)計(jì)這種情況將持續(xù)一段時(shí)間。摩根士丹利預(yù)測，本輪半導(dǎo)體周期的頂峰將在2027年到來，預(yù)計(jì)繁榮期將持續(xù)一年以上。證券行業(yè)預(yù)測，三星電子和SK海力士今年第三季度的營業(yè)利潤將超過10萬億韓元。KB證券分析師金東元表示：“三星電子被認(rèn)為是半導(dǎo)體復(fù)蘇周期的最大受益者，因?yàn)樗梢酝ㄟ^擴(kuò)建平澤工廠，確保從HBM到DRAM和NAND的業(yè)內(nèi)最大產(chǎn)能。”

內(nèi)存半導(dǎo)體的短缺反而成了對抗特朗普政府半導(dǎo)體關(guān)稅的武器。一位科技行業(yè)人士表示：“如果特朗普設(shè)定高額的半導(dǎo)體關(guān)稅，在DRAM半導(dǎo)體需求已經(jīng)不足的情況下，美國企業(yè)將不得不以更高的價(jià)格購買?！?/p>

https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/09/29/GWQDNWLN6BGYNPCMYEYJ7Y3GFI/

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