本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

在手訂單含已向客戶交付但尚未根據(jù)中國會(huì)計(jì)準(zhǔn)則獲得客戶確認(rèn)收入的設(shè)備訂單及將于未來交付的設(shè)備訂單。

盛美上海發(fā)布公告，截至2025年9月29日，公司在手訂單總金額為907,153.57萬元，與上年同期已自愿性披露的在手訂單數(shù)據(jù)相比，在手訂單總金額同比增加34.10%。

盛美上海從事對集成電路制造與先進(jìn)晶圓級封裝制造行業(yè)至關(guān)重要的單晶圓及槽式濕法清洗設(shè)備、電鍍設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、立式爐管設(shè)備、前道涂膠顯影設(shè)備和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備等的研發(fā)、制造和銷售。2025年以來，中國半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備需求持續(xù)旺盛，公司憑借技術(shù)優(yōu)勢、產(chǎn)品成熟度和市場認(rèn)可度，不斷深耕現(xiàn)有市場、拓 展新市場，收入穩(wěn)步增長。

在手訂單含已向客戶交付但尚未根據(jù)中國會(huì)計(jì)準(zhǔn)則獲得客戶確認(rèn)收入的設(shè)備訂單及將于未來交付的設(shè)備訂單。以上訂單受具體執(zhí)行、實(shí)施進(jìn)度等因素影響，對公司當(dāng)期和未來年度的 業(yè)績影響存在不確定性；在履行過程中如果遇到不可抗力等因素的影響，部分訂單可能會(huì)存在部分或全部無法履行或終止的風(fēng)險(xiǎn)。

以上在手訂單數(shù)據(jù)源自公司內(nèi)部統(tǒng)計(jì)，未經(jīng)審計(jì)，不能以此直接推算公司全年?duì)I業(yè)收入、凈利潤等財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。

今年上半年盛美上海營業(yè)收入為32.65億元，同比增長35.83%，主要原因是中國大陸市場需求強(qiáng)勁，公司憑借技術(shù)差異化優(yōu)勢，成功把握市場機(jī)遇，積累了充足訂單儲備；本期公司銷售交貨及調(diào)試驗(yàn)收工作高效推進(jìn)，有效保障了經(jīng)營業(yè)績的穩(wěn)步增長；公司深入推進(jìn)產(chǎn)品平臺化，產(chǎn)品技術(shù)水平和性能持續(xù)提升，產(chǎn)品系列日趨完善，滿足了客戶的多樣化需求，市場認(rèn)可度不斷提高，為收入增長提供了有力支撐。

在產(chǎn)品方面，今年上半年盛美上海不僅推出了新品，同時(shí)進(jìn)行了產(chǎn)品升級。9月18日，盛美上海推出首款專為寬禁帶化合物半導(dǎo)體制造而設(shè)計(jì)的Ultra ECDP電化學(xué)去鍍設(shè)備。Ultra ECDP設(shè)備提供專業(yè)化工藝，包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍，并配備集成的預(yù)濕和清洗腔體。其具備精確的化學(xué)液循環(huán)和先進(jìn)的多陽極電化學(xué)去鍍技術(shù)，該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了最小化的側(cè)向蝕刻、優(yōu)異的表面光潔度以及所有圖形特征的卓越均勻性。

9月8日，盛美上海宣布推出首款KrF工藝前道涂膠顯影設(shè)備Ultra Lith KrF，旨在支持半導(dǎo)體前端制造。該設(shè)備采用靈活工藝模塊配置，配備12個(gè)旋涂腔和12個(gè)顯影腔（12C12D），并搭載54塊可精確控溫的熱板，支持低溫、中溫及高溫工藝處理，具備優(yōu)異的熱均勻性。該設(shè)備產(chǎn)能超過300片晶圓/小時(shí)（WPH），并集成盛美上海專利申請中的背面顆粒去除模塊（BPRV），有效降低交叉污染風(fēng)險(xiǎn)。首臺設(shè)備系統(tǒng)已于2025年9月交付中國頭部邏晶圓廠客戶。

7月25日，盛美上海對Ultra C wb濕法清洗設(shè)備進(jìn)行了重大升級，旨在滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造工藝的苛刻技術(shù)要求。升級后的Ultra C wb采用了專利申請中的氮?dú)猓∟2）鼓泡技術(shù)，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產(chǎn)物二次沉積問題。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造工藝中，這些問題常見于高深寬比溝槽和通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)濕法清洗工藝。氮?dú)夤呐菁夹g(shù)不但提升了化學(xué)藥液傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內(nèi)溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中質(zhì)量傳遞效率的提高可防止副產(chǎn)物在晶圓微結(jié)構(gòu)內(nèi)積聚，從而避免二次沉積。這項(xiàng)技術(shù)在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D 邏輯器件中有巨大的應(yīng)用前景。

3月4日，盛美上海單晶圓中/高溫硫酸過氧化混合物（SPM）設(shè)備已成功通過一家邏輯芯片制造商的大批量制造驗(yàn)證。該系統(tǒng)采用盛美上海全新的專有噴嘴設(shè)計(jì)以消除SPM工藝中的酸霧飛濺問題，有助于提高顆粒控制能力并減少腔體的清洗維護(hù)頻率，從而延長設(shè)備的正常運(yùn)行時(shí)間（uptime）。該系統(tǒng)能夠應(yīng)對28納米及以下節(jié)點(diǎn)前道與后道工藝中晶圓所需的多種濕蝕刻與清洗工藝。

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