山東
IT之家 12 月 10 日消息，TrendForce（集邦科技）今日發(fā)布的最新報告顯示，隨著年底臨近，不同類型 DRAM 產(chǎn)品呈現(xiàn)分化走勢。
DDR5 與 DDR3 在前期大幅上漲后本周出現(xiàn)小幅回落，而 DDR4 尤其是 16Gb 產(chǎn)品，漲勢依舊強勁。與此同時，NAND Flash 現(xiàn)貨市場則在供應(yīng)端的支撐下持續(xù)刷新歷史高點，盡管漲幅較此前有所放緩。
在 DRAM 市場方面，DDR5 與 DDR3 在過去幾周經(jīng)歷快速拉升后，本周迎來溫和回調(diào)，主要來自部分現(xiàn)貨交易商的年底獲利了結(jié)操作。不過，這一調(diào)整并未改變整體供應(yīng)緊張的市場格局。
DDR4 價格繼續(xù)上行，其中 16Gb 顆粒需求強勢，推動整體現(xiàn)貨價進一步上漲。主流 DDR4 1Gx8 3200MT/s 芯片的平均現(xiàn)貨價由上周（12 月 3 日）的 16.729 美元上漲至本周（12 月 9 日）的 17.064 美元，漲幅 2.00%。TrendForce 認為，這些短期變化并不會影響 DRAM 合約價在未來持續(xù)大幅上漲的趨勢。
NAND Flash 市場方面，盡管前期漲幅較大，但本周漲勢有所緩和。然而，供應(yīng)商在年底前未增加晶圓投放，使得供應(yīng)端成為價格支撐關(guān)鍵。在市場活動偏弱的情況下，晶圓現(xiàn)貨價仍持續(xù)刷新高點。本周（12 月 9 日）512Gb TLC 晶圓現(xiàn)貨價上漲 0.28%，達到 9.634 美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 68.1 元人民幣）。
整體來看，DRAM 與 NAND 市場都受供應(yīng)緊縮影響，DDR4 仍是漲勢最明顯的產(chǎn)品線，而 NAND 價格在供應(yīng)端收緊下繼續(xù)維持在高位水平。
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