近日，有媒體報道稱，精華大學(xué)化學(xué)系許華平教授團隊，在EUV光刻膠上取得了重要進展，開發(fā)出一種基于聚碲氧烷的新型光刻膠材料，這種光刻膠材料，比現(xiàn)有的EUV光刻膠，具有更好的特性。

目前該成果，已經(jīng)發(fā)表在核心期刊上，而這種材料和技術(shù)，為中國研發(fā)出EUV光刻膠，提供了可行路徑，也就是說可能很快中國就會研發(fā)出自己的EUV光刻膠了。

要知道目前全球的EUV光刻膠，幾乎都掌握在日本企業(yè)手中，不僅僅是EUV光刻機，先進的ArF光刻膠，也掌握在日本企業(yè)手中。

中國能夠研發(fā)出來的光刻機，主要還是KrF光刻膠，以及一些不那么先進的ArF，從工藝來看，大約還處于40nm-65nm階段。

而EUV光刻膠，可是用于7nm及以下工藝的，從40nm跨進至7nm以下了，所以這確實是一個重大突破，值得大家興奮。

但是在興奮之作，我們也要想一想，那就是EUV光刻膠，是與EUV光刻機配合的，用于7nm以下的芯片制造的，沒有EUV光刻機的話，EUV光刻膠除了賣給別人，對我們實際用處并不大。

在芯片的生產(chǎn)制造中，需要幾百種設(shè)備、幾百種材料，這些設(shè)備、材料缺一不可，就沒有替代品，EUV光刻膠只是材料的一種，EUV光刻機是設(shè)備的一種，缺一不可。

目前全球僅有ASML一家有制造EUV光刻機的能力，且ASML的EUV光刻機，不準(zhǔn)賣給中國，所以我們要想有自己的EUV光刻機，必須進行自研。

但EUV光刻機的研發(fā)難度太大了，從光源，到物鏡系統(tǒng)，到工作臺，都是難度非常非常大的，有人甚至認為，它比原子彈的研發(fā)還難度高。

ASML目前的EUV光刻機，在全球有上千家供應(yīng)商，很多供應(yīng)商甚至是唯一的，還與ASML簽訂了獨家協(xié)議，所以我們要研發(fā)出EUV光刻機，需要重建這么一個龐大的供應(yīng)鏈體系。

所以啊，真的是“革命遠未成功，同志還需努力”，目前國產(chǎn)EUV光刻膠其實還在理論室驗室里，而EUV光刻機則可能差的更遠，大家還得繼續(xù)加油，只有EUV光刻機、EUV光刻膠全解決了，我們才能真正不怕被卡脖子。