日本在全球光刻膠市場(chǎng)占據(jù)90%的絕對(duì)主導(dǎo)地位，其供應(yīng)中斷將對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈造成系統(tǒng)性沖擊。作為芯片制造過(guò)程中不可或缺的核心化學(xué)材料，光刻膠具有極高的技術(shù)壁壘和嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，即便是具備先進(jìn)工業(yè)基礎(chǔ)的韓國(guó)也曾面臨供應(yīng)危機(jī)。

中國(guó)作為全球第二大半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，在光刻膠領(lǐng)域長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，存在顯著的供應(yīng)鏈安全隱患。這一技術(shù)壟斷格局的形成，源于日本長(zhǎng)達(dá)半個(gè)世紀(jì)的戰(zhàn)略性布局和持續(xù)投入。早在二十世紀(jì)五十年代，日本就前瞻性地啟動(dòng)了半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究，隨后通過(guò)國(guó)家主導(dǎo)的"超大規(guī)模集成電路計(jì)劃"實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵材料的產(chǎn)業(yè)化突破。

經(jīng)過(guò)數(shù)十年持續(xù)的技術(shù)積累，日本企業(yè)構(gòu)建了涵蓋原材料供應(yīng)、配方研發(fā)、精密制造和封裝測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。東京應(yīng)化、JSR等專(zhuān)業(yè)材料供應(yīng)商通過(guò)嚴(yán)格的技術(shù)保密措施，建立了近乎壟斷的市場(chǎng)地位。2019年日韓貿(mào)易爭(zhēng)端期間，日本對(duì)韓國(guó)的材料出口限制充分暴露了供應(yīng)鏈的脆弱性，促使韓國(guó)加速推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，但實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主需要付出巨大的研發(fā)成本和時(shí)間代價(jià)。

韓國(guó)政府在過(guò)去兩年間整合了國(guó)家財(cái)政、企業(yè)資源及科研體系，集中力量推進(jìn)關(guān)鍵材料的國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。盡管取得了一定成效，但在極紫外光刻膠等高端材料領(lǐng)域仍無(wú)法擺脫對(duì)日本的技術(shù)依賴。材料領(lǐng)域的突破不僅面臨工藝技術(shù)壁壘，還需克服產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)和市場(chǎng)認(rèn)可度低等系統(tǒng)性挑戰(zhàn)。

相較而言，中國(guó)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的起步更晚，面臨的產(chǎn)業(yè)環(huán)境更為復(fù)雜。長(zhǎng)期以來(lái)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更側(cè)重于設(shè)備制造、芯片設(shè)計(jì)和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，對(duì)上游材料的研發(fā)投入相對(duì)不足。光刻膠作為核心光刻耗材，其技術(shù)難點(diǎn)在于需要與光刻設(shè)備形成精密匹配，同時(shí)對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的純凈度要求極為嚴(yán)苛。

市場(chǎng)層面的結(jié)構(gòu)性矛盾尤為突出。晶圓制造商出于質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)考慮，對(duì)采用未經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)光刻膠持謹(jǐn)慎態(tài)度；而材料供應(yīng)商若無(wú)法獲得量產(chǎn)訂單，則難以攤薄研發(fā)成本，形成可持續(xù)發(fā)展的商業(yè)閉環(huán)。這種產(chǎn)業(yè)協(xié)同困境是后發(fā)國(guó)家實(shí)現(xiàn)材料自主化必須突破的瓶頸。

2024年，中國(guó)在光刻膠領(lǐng)域取得重要技術(shù)突破。武漢光電國(guó)家研究中心成功開(kāi)發(fā)出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的KrF光刻膠，其120nm分辨率指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，部分性能參數(shù)實(shí)現(xiàn)超越。該產(chǎn)品已完成全流程量產(chǎn)驗(yàn)證，標(biāo)志著我國(guó)首次構(gòu)建了從基礎(chǔ)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條能力。

為破解驗(yàn)證難題，中國(guó)政府正通過(guò)擴(kuò)大成熟制程產(chǎn)能建設(shè)，為國(guó)產(chǎn)材料提供應(yīng)用場(chǎng)景。采取"以市場(chǎng)培育技術(shù)"的發(fā)展路徑，從成熟工藝逐步向高端領(lǐng)域延伸。同時(shí)借鑒國(guó)際經(jīng)驗(yàn)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。

當(dāng)前全球光刻膠市場(chǎng)仍由日本企業(yè)主導(dǎo)，尤其在極紫外光刻膠領(lǐng)域，日本企業(yè)持有90%的全球?qū)＠＿@種技術(shù)優(yōu)勢(shì)源于日本政府將半導(dǎo)體材料定位為國(guó)家戰(zhàn)略資源，通過(guò)長(zhǎng)期政策支持形成的產(chǎn)業(yè)壁壘。即便在全球化供應(yīng)鏈體系中，日本在關(guān)鍵材料領(lǐng)域仍保持著不可替代的技術(shù)制高點(diǎn)。

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑具有鮮明的本土特色，既不同于日本依靠長(zhǎng)期技術(shù)積累形成的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，也區(qū)別于韓國(guó)通過(guò)供應(yīng)鏈緊急突圍的發(fā)展模式。中國(guó)采取的是"量變引發(fā)質(zhì)變"的戰(zhàn)略路徑，即以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，通過(guò)政策調(diào)控促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。這一發(fā)展模式要求產(chǎn)業(yè)界保持戰(zhàn)略定力，在材料科學(xué)等基礎(chǔ)領(lǐng)域持續(xù)投入，同時(shí)具備應(yīng)對(duì)長(zhǎng)期技術(shù)攻關(guān)的韌性。

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠等關(guān)鍵材料的研發(fā)突破具有重要的戰(zhàn)略意義。當(dāng)前全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)格局顯示，這類(lèi)基礎(chǔ)材料的競(jìng)爭(zhēng)直接關(guān)系到國(guó)家產(chǎn)業(yè)安全和技術(shù)自主權(quán)。中國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的技術(shù)進(jìn)步，包括KrF光刻膠等關(guān)鍵材料的突破，都體現(xiàn)了產(chǎn)學(xué)研各界的協(xié)同努力。這些突破不僅獲得了資本市場(chǎng)的認(rèn)可，也得到了政策層面的持續(xù)支持，推動(dòng)中國(guó)逐步向全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的核心位置邁進(jìn)。

在全球科技競(jìng)爭(zhēng)背景下，掌握核心材料技術(shù)已成為產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵。與日本依靠技術(shù)壁壘維持優(yōu)勢(shì)、韓國(guó)通過(guò)供應(yīng)鏈壓力倒逼創(chuàng)新的模式不同，中國(guó)必須建立完整的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新體系，實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主可控。這一戰(zhàn)略不僅對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要，更將深刻影響國(guó)家未來(lái)科技發(fā)展和產(chǎn)業(yè)安全格局。