關(guān)注我們 設(shè)為星標(biāo)

據(jù)外媒報(bào)道，特朗普政府將有條件批準(zhǔn)向三星電子和 SK 海力士在華工廠出口美國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備。盡管未如最初擔(dān)憂的全面禁止，但新制度可能要求對(duì)設(shè)備及材料年度配額實(shí)施嚴(yán)格管控，每年更新許可并禁止額外擴(kuò)產(chǎn)。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 月 7 日，彭博社報(bào)道稱，美國(guó)已提議對(duì)三星電子和 SK 海力士在華工廠的半導(dǎo)體零部件出口實(shí)施 “年度審批” 制度。2023 年 10 月，拜登政府時(shí)期，美國(guó)將三星電子和 SK 海力士列為 “經(jīng)認(rèn)證最終用戶”（VEU），允許其無(wú)需額外許可或流程即可采購(gòu)美國(guó)設(shè)備。這些 “可信企業(yè)” 此前可直接向中國(guó)進(jìn)口美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備、材料及零部件，無(wú)需單獨(dú)審批。

三星電子位于中國(guó)西安的NAND工廠鳥(niǎo)瞰圖

然而上月末，美國(guó)政府通知稱，“三星半導(dǎo)體有限公司”“SK 海力士半導(dǎo)體有限公司” 及 “英特爾半導(dǎo)體有限公司” 的 VEU 資質(zhì)將于今年底到期。其中 “英特爾半導(dǎo)體有限公司” 指 SK 海力士收購(gòu)的英特爾 NAND 閃存工廠。美國(guó)商務(wù)部表示，此舉旨在填補(bǔ)拜登時(shí)期的政策漏洞 —— 該漏洞允許少數(shù)外企無(wú)需許可流程即可向中國(guó)出口半導(dǎo)體制造設(shè)備與技術(shù)，并強(qiáng)調(diào)這些企業(yè)如今將與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手處于同等境地。這表明美國(guó)有意廢除拜登時(shí)期遺留的 VEU 制度。

由此，三星電子和 SK 海力士在華工廠從明年 1 月起需為設(shè)備進(jìn)口逐案申請(qǐng)?jiān)S可。業(yè)界擔(dān)憂，不僅新設(shè)備進(jìn)口受限，現(xiàn)有設(shè)備維護(hù)所需的零部件進(jìn)口也可能更困難，且出口許可流程存在不確定性與耗時(shí)問(wèn)題，可能導(dǎo)致運(yùn)營(yíng)中斷。

彭博社今日?qǐng)?bào)道顯示，特朗普政府提出了替代 VEU 的差異化條件：美國(guó)商務(wù)部正考慮推行 “年度更新場(chǎng)地許可” 制度。這一舉措被解讀為按生產(chǎn)基地而非企業(yè)主體發(fā)放許可。企業(yè)每年需明確申報(bào)擬進(jìn)口中國(guó)的設(shè)備及零部件具體數(shù)量并獲得批準(zhǔn)，且禁止為產(chǎn)線擴(kuò)建或改造出口額外設(shè)備。

韓國(guó)企業(yè)雖避免了完全無(wú)法進(jìn)口美國(guó)設(shè)備及零部件的最壞情況，但需向美國(guó)政府詳細(xì)申報(bào)未來(lái)一年擬進(jìn)口中國(guó)的設(shè)備及零部件清單，這必然導(dǎo)致商業(yè)信息泄露，并難以根據(jù)市場(chǎng)行情靈活調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略。彭博社評(píng)論稱，華盛頓的提案讓韓國(guó)產(chǎn)業(yè)界與政府官員松了口氣，但新增負(fù)擔(dān)也令其倍感困擾。報(bào)道補(bǔ)充道，盡管最終決定尚未敲定，但從某種程度而言，這可能是韓國(guó)能期待的最佳結(jié)果。

9.15-16，杭州，EDA年度盛會(huì)邀請(qǐng)函