當(dāng)前芯片制造工藝，均依賴于光刻工藝，所以光刻機是最重要的核心設(shè)備之一。

但是大家也清楚，目前國產(chǎn)光刻機的水平，與全球頂尖水平確實有差距。

如下圖所示，目前國產(chǎn)上海微電子最強的光刻機，其節(jié)點還在90納米，處于低端水平。而這個90nm，其實也就是干式DUV光刻機的水平。

而在干式DUV之上，還有浸潤式DUV，然后再是EUV光刻機。

不同的光刻機，對應(yīng)著不同的光刻工藝，也對應(yīng)著不同的芯片制造水平，這個一一對應(yīng)關(guān)系，如下圖所示。

浸潤式DUV屬于第五代，可以制造7nm芯片，據(jù)說最終還可以制造5nm芯片。但5nm之下，就必須用到EUV光刻機了。

目前ASML的EUV光刻機，不賣給我們，高端DUV光刻機都限售，所以對于我們而言，不說研發(fā)出EUV，至少要先研發(fā)出浸潤式DUV光刻機來，這樣制造5nm芯片就不用愁了。

而從現(xiàn)在的情況來看，浸潤式DUV離我們應(yīng)該不遠了。

浸潤式DUV實際上與干式DUV差別不大，只是在晶圓上加了一層水，讓光線進入水之后折射，那么193nm的波長，等效于134nm，這樣波長短了，分辨率就提高了。

所以光源、透鏡、工作臺之類的幾乎都是一樣的，就是在工作臺上面，加了一層浸潤式系統(tǒng)，也就是一層水，多了這么一個核心環(huán)節(jié)。

而早在幾年前，國內(nèi)就傳出，已經(jīng)在研發(fā)浸潤式系統(tǒng)，并且有了一定突破，而如今幾年時間過去了，我覺得應(yīng)該是有突破的。

去年國內(nèi)曝光了一臺國產(chǎn)氟化氬光刻機，這臺光刻機采用193nm波長，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，已經(jīng)是干式DUV的最高水平了。

所以，合理推測，接下來浸潤式DUV，離我們真的近了，一旦有了浸潤式DUV，那么我們用自己的光刻機，也能夠制造5nm芯片，那還擔(dān)心什么？

另外在EUV這個檔次，國內(nèi)在研發(fā)EBL電子束技術(shù)，也在研發(fā)納米壓印技術(shù)，并且都有了進展，未來繞過EUV，也是有可能的，所以國產(chǎn)光刻機，真的到了爆發(fā)的前夜了，不信大家拭目以待吧。