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來源 ： 內(nèi)容編譯自zdnet 。

DDR4（雙倍數(shù)據(jù)速率 4）內(nèi)存價格曾被視為 DRAM 市場的領(lǐng)先指標(biāo)，但如今它正在逐漸失去解釋市場趨勢的作用。這是因為隨著 PC 和服務(wù)器市場加速向 DDR5 的升級，全球內(nèi)存制造商正在減少 DDR4 的產(chǎn)量。因此，近期 DDR4 價格的飆升被解讀為供應(yīng)減少導(dǎo)致的暫時現(xiàn)象，而非市場復(fù)蘇的跡象。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士10日透露，包括三星電子、SK海力士、美光等主要DRAM廠商都在持續(xù)削減DDR4產(chǎn)量。隨著服務(wù)器和PC市場支持DDR5的產(chǎn)品增多，生產(chǎn)結(jié)構(gòu)也正在圍繞DDR5進行重組。

DDR5 的采用正在迅速擴大，尤其是在服務(wù)器市場。

占據(jù)服務(wù)器 CPU 市場 90% 份額的英特爾，在 2023 年發(fā)布的第四代至強可擴展處理器 (Sapphire Rapids) 中徹底停止了對 DDR4 的支持。此后發(fā)布的所有服務(wù)器處理器，包括 Emerald Rapids 和 Granite Rapids，也都只支持 DDR5。AMD 從 Genoa 平臺開始也原生支持 DDR5，服務(wù)器市場實際上已經(jīng)過渡到僅支持 DDR5 的架構(gòu)。

DDR5 轉(zhuǎn)型背后的關(guān)鍵驅(qū)動力是人工智能 (AI) 和高性能計算 (HPC) 需求的爆炸式增長。與現(xiàn)有的 DDR4 相比，DDR5 的傳輸速度提高了約 1.5 到 2 倍，能效提高了約 30%。這使其成為需要更大帶寬和更低功耗的人工智能的理想選擇。

DDR5 的采用不僅在服務(wù)器市場，也在 PC 市場迅速擴張。由于英特爾和 AMD 的大多數(shù)最新 CPU 都原生支持 DDR5，DDR4 的需求已所剩無幾，尤其是在老款平臺上。

市場研究公司 TrendForce 預(yù)測，今年下半年 DDR5 將占所有 PC 和服務(wù)器 DRAM 出貨量的一半以上。

三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存公司正在減少DDR4生產(chǎn)線，并將投資重點轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）。

DDR4 已歸類為成熟產(chǎn)品類別，其特點是單價低、盈利能力弱。其效率低于采用 EUV（極紫外）光刻工藝的 DDR5 和 HBM 產(chǎn)品。然而，即使使用相同的設(shè)備，DDR5 和 HBM 也能產(chǎn)生顯著更高的銷售額和利潤。

最終，制造商將生產(chǎn)設(shè)施集中在高附加值產(chǎn)品上，這一過程導(dǎo)致DDR4供應(yīng)減少，價格暫時上漲。然而，此次價格飆升是供應(yīng)減少而非需求增加的結(jié)果，并不代表市場復(fù)蘇。

一位內(nèi)存行業(yè)人士表示，“如果數(shù)量下降，但需求還沒有下降那么多，那么任何產(chǎn)品的價格都會上漲”，“DDR4 也是如此”。

DRAM，好起來了？

預(yù)計2026年全球存儲器半導(dǎo)體市場即使在經(jīng)濟溫和放緩的情況下仍將保持相對穩(wěn)定的增長。近年來推動行業(yè)發(fā)展的高帶寬存儲器（HBM）預(yù)計將因競爭加劇而增長放緩，而DRAM和NAND閃存預(yù)計將在需求和生產(chǎn)平衡的推動下表現(xiàn)良好。

據(jù)iM證券6日發(fā)布的報告顯示，2025年DRAM需求增長率上修至19.3%，略高于行業(yè)產(chǎn)量增長率18.1%。受全球經(jīng)濟放緩影響，預(yù)計2026年DRAM需求增長率為14.1%，產(chǎn)量增長率為14.2%。

NAND閃存也呈現(xiàn)出類似的趨勢。預(yù)計2026年需求增長率將達(dá)到13.8%，而產(chǎn)量增長率預(yù)計將達(dá)到14.0%，表明供需平衡。

iM證券分析師宋明燮指出：“HBM在2024年至2025年期間經(jīng)歷了爆炸式增長，但由于競爭對手的進入和供應(yīng)增加，其增長速度在2026年可能會放緩。”相反，他分析道：“經(jīng)歷了長期價格下跌的NAND已經(jīng)觸底，并且可能會出現(xiàn)相對的價格強勢。”

在需求方面，智能手機和服務(wù)器被視為關(guān)鍵變量。

預(yù)計2025年全球智能手機出貨量將增長0.7%，高于最初預(yù)測的-0.4%。這得益于美國和印度市場的強勁需求，以及半導(dǎo)體關(guān)稅的推遲。

預(yù)計2026年服務(wù)器市場出貨量將增長4.7%，這得益于大型科技公司持續(xù)積極的資本支出。這一增長被認(rèn)為是由人工智能的普及和數(shù)據(jù)中心擴展的需求推動的。

然而，也存在重大風(fēng)險因素。如果對目前免稅的半導(dǎo)體征收高額關(guān)稅，可能會導(dǎo)致IT設(shè)備價格上漲，需求放緩。

宋警告說：“關(guān)稅政策的變化是可能對內(nèi)存行業(yè)產(chǎn)生重大影響的外部變量”，并補充說，“它們可能會對智能手機和服務(wù)器的需求產(chǎn)生直接影響?！?/p>

三巨頭均在投入1C DRAM

各大內(nèi)存廠商正在加速對1c（第六代10納米級）DRAM的投資。三星電子已于今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)生產(chǎn)線，而SK海力士則據(jù)報道正在商討其近期轉(zhuǎn)換投資的具體計劃。美光公司本月還獲得了日本政府對其新建1c DRAM工廠的補貼。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露， 各大存儲器企業(yè) 正集中進行1c DRAM量產(chǎn)的新建和轉(zhuǎn)換投資。

1c DRAM 是各大內(nèi)存公司計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代 DRAM。 三星電子已決定在其 HBM4（第六代高帶寬內(nèi)存）中積極采用 1c DRAM。SK 海力士和美光則計劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用 DRAM 中使用 1c DRAM。

三星電子正積極擴張其1c DRAM產(chǎn)能。目前，該公司正在平澤4號園區(qū)（P4）建設(shè)一條新的1c DRAM量產(chǎn)線，同時還在投資將其華城17號線改造為1c DRAM生產(chǎn)線。預(yù)計到今年年底，其產(chǎn)能將達(dá)到每月最高6萬片晶圓。

SK海力士在7月份的2025年第二季度財報中宣布，“1c DRAM的轉(zhuǎn)換投資將于今年下半年開始，明年將全面實施”，并且“目前正在制定管理計劃，具體方案一旦確定就會與大家分享”。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，此次改建投資很可能在利川的M14晶圓廠進行。M14晶圓廠一直在將其部分現(xiàn)有NAND生產(chǎn)線改造用于DRAM的量產(chǎn)。SK海力士目前正在討論拆除該廠老舊DRAM設(shè)施并引入1c DRAM生產(chǎn)線的計劃。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，“1c工藝不僅可以用于高附加值的服務(wù)器用DRAM，還可以用于HBM4E（第7代HBM），因此是SK海力士關(guān)注的領(lǐng)域”，“雖然尚未確定設(shè)備投資，但預(yù)計明年將在所有工藝領(lǐng)域進行積極投資”。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，此次改建投資很可能在利川的M14晶圓廠進行。M14晶圓廠一直在將其部分現(xiàn)有NAND生產(chǎn)線改造用于DRAM的量產(chǎn)。SK海力士目前正在討論拆除該廠老舊DRAM設(shè)施并引入1c DRAM生產(chǎn)線的計劃。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，“1c工藝不僅可以用于高附加值的服務(wù)器用DRAM，還可以用于HBM4E（第7代HBM），因此是SK海力士關(guān)注的領(lǐng)域”，“雖然尚未確定設(shè)備投資，但預(yù)計明年將在所有工藝領(lǐng)域進行積極投資”。

美光公司也有望加速對1c DRAM的投資。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）本月中旬宣布，將向美光公司正在廣島地區(qū)建設(shè)的新DRAM工廠提供高達(dá)5360億日元（約合4.7萬億韓元）的補貼。

該工廠計劃專注于美光1γ（伽馬）工藝的量產(chǎn)，預(yù)計2027年投入運營。1γ是韓國半導(dǎo)體行業(yè)用于解決1c DRAM的工藝，預(yù)計美光將在其HBM4E中采用該工藝。

https://zdnet.co.kr/view/?no=20251010121933

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