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全球首顆超高耐壓毫米波隔離驅(qū)動(dòng)芯片

今日，德氪微電子正式發(fā)布全球首顆超高耐壓毫米波隔離驅(qū)動(dòng)芯片——DKV56系列。作為新一代高性能隔離式IGBT、MOSFET、SiC柵極驅(qū)動(dòng)芯片，DKV56系列集成德氪微MillConnex?毫米波無線隔離技術(shù)，在“高耐壓、高CMTI、高集成、低延時(shí)”四個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)實(shí)現(xiàn)突破，為AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化、新能源與儲(chǔ)能系統(tǒng)、新能源汽車、電力電子及高性能電機(jī)控制等領(lǐng)域帶來更安全、更高效的電源系統(tǒng)解決方案。目前，芯片已進(jìn)入量產(chǎn)階段。

全球首顆超高耐壓毫米波隔離驅(qū)動(dòng)芯片

實(shí)現(xiàn)“高耐壓、高CMTI、高集成、低延時(shí)”四個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)突破

相較傳統(tǒng)的光耦、電容或磁變壓器隔離方案，DKV56系列采用創(chuàng)新的毫米波隔離架構(gòu)，在高速傳輸與高耐壓之間實(shí)現(xiàn)了長期困擾業(yè)界的平衡。在連續(xù)三個(gè)月的高壓可靠性測試中，DKV56系列在20kV隔離耐壓與30kV浪涌電壓的設(shè)備測試極限的環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行零失效，其共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）>200kV/μs，進(jìn)一步驗(yàn)證了芯片在極端工況下的穩(wěn)定性。DKV56系列傳播延時(shí)僅38ns，并集成有源米勒鉗位、軟關(guān)斷（STO）及短路鉗位（ASC）等多項(xiàng)安全機(jī)制，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度與整體可靠性。

DKV56系列支持5個(gè)檔位的電流組合的分離輸出能力，包括2.5A拉電流和5A灌電流，4A拉電流和6A灌電流，10A拉電流/灌電流，20A拉電流/灌電流以及30A拉電流/灌電流，可高效驅(qū)動(dòng)SiC等高性能器件，為系統(tǒng)帶來更高開關(guān)頻率和更低能耗。芯片內(nèi)置實(shí)時(shí)故障檢測與復(fù)位功能（FLT/RST），能在過流、欠壓等異常情況下即時(shí)保護(hù)功率器件，簡化外圍電路設(shè)計(jì)，降低工程開發(fā)難度與成本。DKV56系列可在-40℃到125℃下正常工作，正在申請VDE/UL/CQC安規(guī)認(rèn)證中。憑借這些特性，DKV56系列為功率半導(dǎo)體應(yīng)用帶來了更高的集成度與更優(yōu)的系統(tǒng)性能。

據(jù)Yole Intelligence與Omdia最新報(bào)告，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已超過300億美元，預(yù)計(jì)到2028年將保持8–10%的年復(fù)合增長率（CAGR），其中SiC與GaN驅(qū)動(dòng)芯片增長最為迅速。順應(yīng)高頻化、模塊化的行業(yè)趨勢，德氪微以毫米波無線隔離技術(shù)為核心的創(chuàng)新架構(gòu)，正推動(dòng)功率器件驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)入全新階段，為行業(yè)提供全新的技術(shù)路徑。

2025年以來，德氪微持續(xù)完善毫米波無線隔離系列產(chǎn)品布局。9月，德氪微正式發(fā)布全球首顆基于毫米波超短距離通信的數(shù)字隔離芯片。隔離通信速率在超萬伏耐壓下，無損傳輸高達(dá)5Gbps，掀起隔離通信的又一次“技術(shù)革命”。

目前，德氪微毫米波無線隔離芯片已通過多家產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)測試驗(yàn)證，正加速進(jìn)入規(guī)?；慨a(chǎn)階段。如需提供樣品和技術(shù)咨詢，歡迎致信sales@decosemi.com。

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點(diǎn)擊報(bào)名：?。?1月5日-7日）