廣東
最近美光（Micron）已確認，2026年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄，不過與大肆擴張生產(chǎn)線的三星和SK海力士不同，美光似乎對產(chǎn)能擴張采取了謹慎的態(tài)度。按照美國今年早些時候公布的計劃，在美國的投資規(guī)模達到約2000億美元，用于尖端DRAM制造（1500億美元）和研發(fā)（500億美元）。去年美光還與美國商務(wù)部達成的協(xié)議，后者將根據(jù)《芯片法案》為其商業(yè)半導(dǎo)體制造項目提供61.65億美元的直接撥款，目標是未來十年內(nèi)在美國制造旗下40%的DRAM產(chǎn)品。
據(jù)TrendForce報道，美光已經(jīng)決定將紐約克萊附近新建晶圓廠的投產(chǎn)時間推遲，首座晶圓廠從最初的2028年中旬延后至2030年末，另外第二座晶圓廠的完工時間也將從2030年末重新安排到2033年末。
美光是在2022年首次公布紐約克萊新建晶圓廠項目，雖然還沒有開工，但是已經(jīng)出現(xiàn)連續(xù)延期。按照新的計劃，首座晶圓廠將于2026年第二季度破土動工，第二座晶圓廠大概在2030年第四季度開工建設(shè)。整個項目會建造四座晶圓廠，最后一座晶圓廠要等到2041年才完工。
除了工期不斷延誤外，建設(shè)周期也變得更長，比如首座晶圓廠用時將從三年增至四年，而且美光沒有說明計劃變更的原因。美光在愛達荷州博伊西也有新建晶圓廠項目，優(yōu)先級看起來高于紐約克萊。
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