等離子刻蝕機(jī)是一種利用等離子體進(jìn)行薄膜微細(xì)加工的設(shè)備,在半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。其工作原理是通過射頻電源等將反應(yīng)氣體電離形成等離子體,其中包含離子、電子、自由基等活性粒子。在電場作用下,離子加速撞擊晶圓表面,通過物理濺射或化學(xué)反應(yīng)等方式去除材料,實現(xiàn)對晶圓上特定圖案的刻蝕加工。例如,在刻蝕硅材料時,常用的反應(yīng)氣體有 CF?、SF?等,等離子體中的氟離子與硅發(fā)生反應(yīng),生成易揮發(fā)的 SiF?從而被去除。
結(jié)構(gòu)組成:
- 反應(yīng)腔室:是刻蝕反應(yīng)發(fā)生的場所,通常由不銹鋼等材料制成,內(nèi)部有電極、氣體分布裝置等,需保證良好的真空密封性。
- 射頻電源:用于產(chǎn)生高頻電場,激發(fā)反應(yīng)氣體形成等離子體,其功率、頻率等參數(shù)可根據(jù)工藝需求調(diào)節(jié)。
- 氣體供應(yīng)系統(tǒng):負(fù)責(zé)精確控制反應(yīng)氣體的種類、流量和壓力,確??涛g過程的穩(wěn)定性和一致性。
- 真空系統(tǒng):維持反應(yīng)腔室的真空環(huán)境,減少氣體分子對等離子體的干擾,提高刻蝕精度。
- 晶圓傳輸與定位裝置:實現(xiàn)晶圓的自動傳輸、裝載和精確對準(zhǔn)定位,保證刻蝕圖案的準(zhǔn)確性
應(yīng)用領(lǐng)域:
- 半導(dǎo)體制造:用于芯片制造中的光刻膠去除、硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕等工藝,實現(xiàn)芯片的微觀結(jié)構(gòu)加工,如刻蝕出晶體管、互連線路等結(jié)構(gòu)中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司。
- 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS):可對硅、玻璃等材料進(jìn)行刻蝕,制造微傳感器、微執(zhí)行器、微光學(xué)元件等 MEMS 器件。
- 化合物半導(dǎo)體:如對 GaN、SiC 等化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕,用于制造高頻、高壓、高功率器件。
- 半導(dǎo)體照明:在 LED 芯片制造中,用于圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)刻蝕、芯片電極刻蝕等工藝。
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- 華儀行(北京)科技有限公司(CIF):CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué),科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實驗室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。
- 北方華創(chuàng):在電感耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP)方面,攻克了多項難題,實現(xiàn)了各技術(shù)節(jié)點的突破。
- 中微公司:刻蝕設(shè)備在客戶的生產(chǎn)線中廣泛應(yīng)用,可滿足超高深寬比刻蝕等需求。
- 盛美上海:其濕法刻蝕設(shè)備使用化學(xué)藥液進(jìn)行晶圓球下金屬層(UBM)的刻蝕工藝,可提供良好的化學(xué)溫度控制和刻蝕均勻性。
- 屹唐半導(dǎo)體:高速干法刻蝕技術(shù)適配 3D NAND 堆疊,隨著晶圓廠擴(kuò)產(chǎn),訂單年增 50%。
- 中電科:專注于軍工級刻蝕設(shè)備,具有自主可控的技術(shù)。
- 創(chuàng)世威納:采用紫外固化技術(shù)降低光刻膠依賴,在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域有成熟的定制化方案。
- 芯源微:在刻蝕機(jī)方面也有一定實力。
- 至純科技:中芯國際、華虹等提供服務(wù),同時在光伏與半導(dǎo)體雙賽道協(xié)同發(fā)展。
- 金盛微納:在 MEMS 傳感器刻蝕方面較為專精。
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