SiC單晶材料作為第三代半導(dǎo)體襯底材料，在制作高頻、大功率電子器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，而SiC加工技術(shù)對制作襯底材料起到?jīng)Q定作用。

典型的SiC晶體加工過程主要分為切割、研磨和拋光三道關(guān)鍵工序。切割加工是第一道工序，占有很重要的地位，切割晶片的彎曲度Bow、翹曲度Warp、總厚度變化TTV決定了后續(xù)研磨、拋光的加工水平。研磨工藝的目的是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割導(dǎo)致的變形。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨 SiC切片的晶體表面。而拋光提高晶片表面光潔度和平整度，主要采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方式，利用化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)晶片表面的全局平坦化。

不過，需要注意的是，要充分發(fā)揮SiC晶片的CMP拋光效果，關(guān)鍵在于工藝參數(shù)與拋光材料的精密協(xié)同。拋光液的化學(xué)成分、拋光墊的物理特性（硬度、孔隙率等）、拋光磨粒（如二氧化硅、氧化鈰等）的選擇及其相互作用至關(guān)重要。如何精確調(diào)控壓力、轉(zhuǎn)速、溫度、拋光液供給率和pH值等各種參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)物理磨削作用與化學(xué)反應(yīng)去除的巧妙平衡，最終達(dá)成拋光效果（表面質(zhì)量）與拋光速率（生產(chǎn)效率） 的雙重優(yōu)化，是產(chǎn)業(yè)內(nèi)亟待深入探討的核心議題。

作為泛半導(dǎo)體行業(yè)平坦化材料解決方案的資深提供商，浙江博來納潤電子材料有限公司擁有十余年的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在碳化硅襯底的切、磨、拋耗材上形成了一套整體解決方案體系。

碳化硅襯底切磨拋耗材整體解決方案

來源：博來納潤官網(wǎng)

2025年8月21日，中國粉體網(wǎng)將在蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會。我們邀請到浙江博來納潤電子材料有限公司董事長兼總經(jīng)理張澤芳并將帶來《碳化硅CMP材料的整體解決方案》的報(bào)告。屆時(shí)張總將詳細(xì)介紹博來納潤針對碳化硅半導(dǎo)體材料所提供的CMP材料整體解決方案，歡迎報(bào)名參會！

報(bào)告老師簡介

張澤芳博士，浙江博來納潤電子材料有限公司創(chuàng)始人，系中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所博士，復(fù)旦大學(xué)博士后。先后榮獲“上海市東方英才青年項(xiàng)目”、“上海產(chǎn)業(yè)菁英高層次人才--產(chǎn)業(yè)青年英才”、“山西省青年拔尖人才”等榮譽(yù)。擁有18余年的CMP材料研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，主導(dǎo)研發(fā)的藍(lán)寶石、硅片、碳化硅CMP磨料、拋光液和拋光墊，性能與國外同期進(jìn)口產(chǎn)品持平，推動了CMP材料的國產(chǎn)化，填補(bǔ)了多項(xiàng)空白。近年來在國際及國內(nèi)刊物上發(fā)表CMP相關(guān)論文20余篇，授權(quán)發(fā)明專利10余項(xiàng)。

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