截至2025年10月9日 09:47，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.64%，成分股中芯國(guó)際上漲4.2%，金宏氣體上漲2.88%，中微公司上漲2.86%，神工股份上漲2.86%，拓荊科技上漲2.62%?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）上漲0.20%，最新價(jià)報(bào)1.52元。流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤(pán)中換手5.23%，成交1.48億元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）最新規(guī)模達(dá)27.9億元，創(chuàng)成立以來(lái)新高。份額方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）最新份額達(dá)18.45億份，創(chuàng)成立以來(lái)新高。從資金凈流入方面來(lái)看，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）近10天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得6.32億元凈流入，合計(jì)“吸金”19.03億元，日均凈流入達(dá)1.9億元。

消息面上，近期以來(lái)，多國(guó)芯片巨頭上調(diào)產(chǎn)品報(bào)價(jià)。據(jù)報(bào)道，過(guò)去半年，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲。特別是最近一個(gè)月，漲價(jià)消息越發(fā)密集。涉及漲價(jià)的存儲(chǔ)芯片種類大致涵蓋DRAM與NAND兩種類型：前者是一種易失性半導(dǎo)體儲(chǔ)器，讀取速度相對(duì)快但斷電后數(shù)據(jù)瞬間消失，無(wú)法長(zhǎng)期保存，近期受市場(chǎng)追捧的HBM也屬于這一類型；后者屬于非易失性存儲(chǔ)，斷電后數(shù)據(jù)仍能穩(wěn)定留存，往往負(fù)責(zé)存放海量數(shù)據(jù)和模型參數(shù)，SSD、HDD等屬于此列。

國(guó)信證券認(rèn)為，隨著AL推理需求增長(zhǎng)，傳統(tǒng)大容量HDD供不應(yīng)求，CSP廠商將儲(chǔ)存需求快速轉(zhuǎn)向QLC企業(yè)級(jí)SSD，由于需求推升，NAND端價(jià)格持續(xù)回暖。供給端，NANDFlash經(jīng)歷了上半年減產(chǎn)與庫(kù)存去化，原廠庫(kù)存與價(jià)格壓力緩解，且產(chǎn)能端資本開(kāi)支有所收窄。在企業(yè)級(jí)需求與供給收縮帶動(dòng)下，根據(jù)Trendforce預(yù)測(cè)，4025NAND Flash各類產(chǎn)品合約價(jià)將全面上漲，平均漲幅約5%-10%。在此基礎(chǔ)上，AI推理推升的SSD需求持續(xù)且NAND短期供給拉升有限，景氣周期有望持續(xù)拉長(zhǎng)。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。