過去數(shù)十年來美國(guó)一直主導(dǎo)著全球科技市場(chǎng)，但現(xiàn)在，這一情況正在被我們改變。

9月份，英偉達(dá)CEO黃仁勛稱，中國(guó)在芯片開發(fā)方面僅比美國(guó)落后幾納秒。

黃仁勛的這番話的確是事實(shí)，隨著我國(guó)在芯片領(lǐng)域的不斷進(jìn)步，目前距離我國(guó)打破美國(guó)芯片高階封鎖已經(jīng)非常近了。

在ChatGPT橫空出世后，我國(guó)隨即就推出了deepseek，這家企業(yè)的出現(xiàn)更是震驚了全球。

尤其是deepseek的訓(xùn)練成本遠(yuǎn)低于領(lǐng)先的AI模型。

deepseek僅使用了遠(yuǎn)少于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的英偉達(dá)高階芯片，其推出后一度導(dǎo)致英偉達(dá)的市值暴跌。而deepseek的出現(xiàn)，也讓國(guó)產(chǎn)芯片看到了希望。

到了今年，國(guó)內(nèi)一些科技公司已經(jīng)明確表示，他們的目標(biāo)是挑戰(zhàn)英偉達(dá)，成為主要的先進(jìn)芯片供應(yīng)商。

今年9月，阿里推出的一款新芯片就已經(jīng)可以和英偉達(dá)的H20性能相媲美，同時(shí)還消耗更少的能源。而英偉達(dá)H20就是根據(jù)美國(guó)出口規(guī)則為我國(guó)市場(chǎng)制造的低配版處理器。

除了阿里，華為也推出了其有史以來最強(qiáng)大的芯片，以及挑戰(zhàn)英偉達(dá)在AI市場(chǎng)主導(dǎo)地位的三年計(jì)劃。

華為還表示，將在國(guó)內(nèi)向公眾開放其設(shè)計(jì)和電腦程式，以努力吸引企業(yè)擺脫對(duì)美國(guó)產(chǎn)品的依賴。

除此之外，還有一些其他芯片開發(fā)商也獲得了與國(guó)企的主要合約。沐曦就正在為國(guó)有電信營(yíng)運(yùn)商聯(lián)通等企業(yè)供應(yīng)先進(jìn)芯片。

除了以上這些企業(yè)，還有一家備受看好挑戰(zhàn)英偉達(dá)的則是寒武紀(jì)科技。

過去三個(gè)月，寒武紀(jì)在上海上市的股價(jià)已經(jīng)漲了一倍多，越來越多投資者押注寒武紀(jì)將推動(dòng)我國(guó)企業(yè)使用自己生產(chǎn)的高階芯片。

競(jìng)爭(zhēng)毫無疑問已經(jīng)到來。

目前英偉達(dá)不僅要面臨著來自我國(guó)芯片制造商的競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)美國(guó)越來越多科技企業(yè)，也在自研芯片，以擺脫對(duì)英偉達(dá)的控制。

在9月的BG2科技與商業(yè)播客上，英偉達(dá)CEO黃仁勛強(qiáng)調(diào)了我國(guó)科技行業(yè)的優(yōu)勢(shì)，稱贊其勤奮且龐大的人才庫、激烈的國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)以及芯片制造方面的進(jìn)步。

黃仁勛說說：“這是一個(gè)充滿活力的創(chuàng)業(yè)、高科技、現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)。”除此之外，黃仁勛還在播客中敦促美國(guó)“為生存而競(jìng)爭(zhēng)”。

最近幾年，芯片毫無疑問已經(jīng)成了我國(guó)大力發(fā)展的項(xiàng)目之一，其中最重要的一點(diǎn)，就是它可以減少對(duì)西方的依賴，讓我們更加自力更生，不依賴任何人的恩賜。

在這場(chǎng)播客中，黃仁勛也警告稱，美國(guó)應(yīng)該與中國(guó)自由貿(mào)易，否則就有可能在AI競(jìng)賽中將優(yōu)勢(shì)讓給中國(guó)。

的確，任何人都不能低估我國(guó)的追趕能力，哪怕是在芯片方面。

黃仁勛的“幾納秒”論調(diào)出現(xiàn)在2025年9月的一檔播客節(jié)目中，當(dāng)時(shí)他駁斥了“中國(guó)造不出AI芯片”的說法，并高度評(píng)價(jià)了中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的整體實(shí)力。他將中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)形容為“一個(gè)充滿活力、創(chuàng)業(yè)精神、高科技、現(xiàn)代化的產(chǎn)業(yè)”，特別強(qiáng)調(diào)了中國(guó)擁有龐大的人才儲(chǔ)備、充滿活力的工作文化以及各省之間存在的內(nèi)部競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。

從技術(shù)角度看，“幾納秒”的比喻并非空穴來風(fēng)。在晶體管開關(guān)速度這一核心指標(biāo)上，臺(tái)積電3納米工藝的柵極延遲約為0.3納秒，而中芯國(guó)際N+1工藝(等效7納米)約為0.5納秒，兩者相差其實(shí)并不大。

近年來，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)在材料創(chuàng)新、架構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝制造等多個(gè)領(lǐng)域已經(jīng)取得顯著突破。

北京大學(xué)彭海琳教授團(tuán)隊(duì)成功研制全球首款鉍基二維材料無硅芯片，厚度僅1.2納米，電子遷移率達(dá)280cm2/Vs（硅基芯片的3倍），在0.5伏低電壓下穩(wěn)定運(yùn)行。該技術(shù)采用硒氧化鉍材料實(shí)現(xiàn)“全環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，從根本上解決傳統(tǒng)芯片漏電問題，并通過三維集成技術(shù)堆疊芯片層，性能接近量子計(jì)算機(jī)水平。

另外華為昇騰910C芯片實(shí)測(cè)效率接近國(guó)際同類產(chǎn)品，阿里平頭哥PPU芯片在能效比上也形成差異化優(yōu)勢(shì)，這些可以說都是我國(guó)芯片進(jìn)步的一大優(yōu)勢(shì)。

這些突破表明，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正通過多技術(shù)路線并行發(fā)展，在成熟制程領(lǐng)域基本實(shí)現(xiàn)自主可控，在先進(jìn)制程和新興技術(shù)領(lǐng)域正持續(xù)縮小與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距。

end.