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美光確認(rèn)向客戶交付業(yè)界最快11 Gbps HBM4 DRAM并與臺(tái)積電合作研發(fā)下一代HBM4E

在最新的 2025 財(cái)年第四季度及全年財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，美光科技披露了 DRAM 與 NAND 閃存業(yè)務(wù)的關(guān)鍵進(jìn)展。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，公司該季度營收達(dá) 113.2 億美元（較上季度的 93 億美元增長顯著），全年?duì)I收從 251.1 億美元提升至 373.8 億美元。目前，美光正通過下一代技術(shù)方案持續(xù)拓展性能邊界。

在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域，美光表示其 12 層堆疊的 HBM4 DRAM 方案按計(jì)劃推進(jìn)。為響應(yīng)近期激增的性能需求，公司已完成業(yè)界最快 HBM4 解決方案的首批樣片交付，該方案實(shí)現(xiàn)超 11 Gbps 引腳傳輸速率與 2.8 TB/s 帶寬。美光強(qiáng)調(diào)，新款 HBM4 產(chǎn)品在性能與能效比上全面超越競品。

“我們欣喜地看到，HBM 市場份額在本公歷第三季度將再度增長，并與整體 DRAM 份額保持同步，兌現(xiàn)了我們連續(xù)多個(gè)季度的目標(biāo)承諾。盡管 HBM4 對帶寬和引腳速率的要求不斷提升，美光科技的 12 層 HBM4 仍按計(jì)劃支持客戶平臺(tái)的規(guī)?；慨a(chǎn)。

近期我們已向客戶交付 HBM4 樣片，其 2.8 TB/s 以上的帶寬與 11 Gbps 以上的引腳速率均達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平。我們堅(jiān)信，美光 HBM4 憑借業(yè)界頂尖的性能表現(xiàn)與能效比，全面優(yōu)于所有競品。成熟的 1-γ DRAM 工藝、創(chuàng)新低功耗的 HBM4 架構(gòu)、自研先進(jìn) CMOS 基底芯片及前沿封裝技術(shù)，構(gòu)成了這款標(biāo)桿產(chǎn)品的核心競爭力?！?/p>

—— 桑杰?梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra），美光總裁兼首席執(zhí)行官

除 HBM4 外，美光還披露了下一代 HBM4E 內(nèi)存規(guī)劃。與完全基于自研先進(jìn) CMOS 基底芯片的 HBM 不同，HBM4E 的基底邏輯芯片將與臺(tái)積電合作制造，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)品與定制化產(chǎn)品。美光預(yù)計(jì) HBM4E 將于 2027 年正式推出。

“針對 HBM4E，美光科技將提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品及基底邏輯芯片定制服務(wù)。我們正與臺(tái)積電合作，為標(biāo)準(zhǔn)品與定制化產(chǎn)品同步開發(fā) HBM4E 基底邏輯芯片。定制化方案需與客戶深度協(xié)同，預(yù)計(jì)搭載定制基底邏輯芯片的 HBM4E 將較標(biāo)準(zhǔn)品實(shí)現(xiàn)更高毛利率。目前美光 HBM 客戶群已擴(kuò)展至 6 家。

我們已與幾乎所有客戶達(dá)成 2026 年 HBM3E 主力供應(yīng)的定價(jià)協(xié)議，正與客戶積極磋商 HBM4 的規(guī)格與供貨量，預(yù)計(jì)未來數(shù)月內(nèi)將達(dá)成協(xié)議，售罄 2026 年剩余的全部 HBM 產(chǎn)能。”

—— 桑杰?梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra），美光總裁兼首席執(zhí)行官

在其他技術(shù)領(lǐng)域，美光透露已與英偉達(dá)深度合作推進(jìn)服務(wù)器用 LPDDR 內(nèi)存部署，成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域 LPDDR DRAM 的獨(dú)家供應(yīng)商。針對 AI 與客戶端產(chǎn)品的 GDDR7 內(nèi)存，美光表示該技術(shù)未來迭代產(chǎn)品的引腳速率將突破 40 Gbps。目前英偉達(dá)是唯一在 GPU 中采用 GDDR7 的廠商 —— 美光最初發(fā)布的 GDDR7 產(chǎn)品引腳速率為 32 Gbps，40 Gbps 規(guī)格將實(shí)現(xiàn) 25% 的性能提升。

“通過與英偉達(dá)的緊密協(xié)作，美光率先推動(dòng) LPDRAM（低功耗 DRAM）在服務(wù)器領(lǐng)域的應(yīng)用。自英偉達(dá)在 GB 產(chǎn)品系列中引入 LPDRAM 以來，美光始終是數(shù)據(jù)中心 LPDRAM 的獨(dú)家供應(yīng)商。除在 HBM 與 LP5（低功耗 DDR5）領(lǐng)域保持領(lǐng)先外，美光 GDDR7 產(chǎn)品亦占據(jù)優(yōu)勢地位 —— 其設(shè)計(jì)旨在通過超 40 Gbps 引腳速率實(shí)現(xiàn)極致性能，同時(shí)以頂尖能效比滿足未來 AI 系統(tǒng)的特定需求?！?/p>

—— 桑杰?梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra），美光總裁兼首席執(zhí)行官

制程工藝方面，1-γ DRAM 節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的良率爬坡速度，較上一代工藝提升 50%。G9 NAND 技術(shù)量產(chǎn)進(jìn)展順利，將同步推進(jìn) TLC 與 QLC NAND 閃存方案的規(guī)?；瘧?yīng)用。作為業(yè)界首個(gè)推出數(shù)據(jù)中心級(jí) PCIe Gen6 SSD 的廠商，美光將持續(xù)基于 16Gb 1-γ DRAM 拓展解決方案矩陣。

報(bào)名

注：本次研討會(huì)席位有限，因此暫停對院校學(xué)生開放報(bào)名，望理解。