國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片雙雄長(zhǎng)鑫科技與長(zhǎng)江存儲(chǔ)資本化提速，前者完成上市輔導(dǎo)，后者改制為股份公司。另外，兩公司產(chǎn)能擴(kuò)張拉動(dòng)刻蝕、薄膜沉積設(shè)備需求，中微公司、北方華創(chuàng)等國(guó)內(nèi)設(shè)備商從中受益。

胡楠/文

作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)兩大支柱，長(zhǎng)鑫科技與長(zhǎng)江存儲(chǔ)2025年一季度營(yíng)業(yè)收入均突破10億美元。隨著收入的增長(zhǎng)，兩公司在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步提升，其市場(chǎng)份額分別增至4.10%、8.10%。

值得關(guān)注的是，長(zhǎng)鑫科技主導(dǎo)DRAM國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，長(zhǎng)江存儲(chǔ)攻堅(jiān)3DNAND技術(shù)突破，前者已完成上市輔導(dǎo)，后者也順利完成股改，這標(biāo)志著兩家芯片企業(yè)資本化進(jìn)程進(jìn)入關(guān)鍵階段，其背后股東將直接受益于IPO與估值重估。

另外，長(zhǎng)鑫科技、長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃正密集落地。這一動(dòng)作直接拉動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備等需求的增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)中微公司、北方華創(chuàng)等半導(dǎo)體設(shè)備廠商已率先從中受益，并在2025年上半年交出亮眼成績(jī)單。

存儲(chǔ)雙雄擴(kuò)產(chǎn)能

近期，中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)顯示，長(zhǎng)鑫科技的上市輔導(dǎo)狀態(tài)已更新為“輔導(dǎo)驗(yàn)收”。這一狀態(tài)變化表明其已完成IPO輔導(dǎo)階段的全部流程。若后續(xù)上市進(jìn)程順利推進(jìn)，該公司有望成為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的“第一股”。

據(jù)華安證券研報(bào)，長(zhǎng)鑫科技是一家一體化存儲(chǔ)器制造廠商，專注于DRAM的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前，公司是中國(guó)大陸規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、唯一實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)通用型DRAM的IDM企業(yè)。

另一存儲(chǔ)芯片巨頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)也于2025年9月25日完成股份制改造，企業(yè)類型變更為“股份有限公司”，距IPO更近一步。與長(zhǎng)鑫科技不同的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一家專注于3DNAND閃存設(shè)計(jì)、制造一體化的IDM企業(yè)，并是國(guó)內(nèi)唯一3DNAND存儲(chǔ)芯片廠商。

隨著資本市場(chǎng)大門漸啟，長(zhǎng)鑫科技與長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃也在穩(wěn)步推進(jìn)。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2025年底，長(zhǎng)鑫科技總產(chǎn)能將從2024年的20.00萬(wàn)片/月增至30.00萬(wàn)片/月，同比增長(zhǎng)近50.00%，總產(chǎn)能占全球產(chǎn)能的比重也將達(dá)到15.60%。

技術(shù)迭代方面，長(zhǎng)鑫科技正在從DDR4、LPDDR4加速向DDR5、LPDDR5轉(zhuǎn)移。根據(jù)CounterPoint測(cè)算，預(yù)計(jì)到2025年末，長(zhǎng)鑫科技DDR5市場(chǎng)份額將從年初的1.00%提升至7.00%；LPDDR5市場(chǎng)份額也將從0.50%提升至9.00%。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)也啟動(dòng)三期布局，重點(diǎn)推進(jìn)3DNAND芯片產(chǎn)能爬坡。企查查顯示，2025年9月5日，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本207.20億元。該公司由長(zhǎng)江存儲(chǔ)持股50.19%，湖北國(guó)資平臺(tái)持股49.81%。

公司計(jì)劃通過(guò)三期項(xiàng)目將總產(chǎn)能提升至15萬(wàn)片/月，力爭(zhēng)到2026年占據(jù)全球NAND閃存市場(chǎng)15.00%的份額。另外，該長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)已實(shí)現(xiàn)232層以上堆疊3DNANDFlash量產(chǎn)，產(chǎn)能設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)45.00%，并計(jì)劃啟動(dòng)全國(guó)產(chǎn)化設(shè)備產(chǎn)線試生產(chǎn)。

針對(duì)長(zhǎng)鑫科技與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能擴(kuò)張，交銀國(guó)際、東方證券等研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為，這將推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)刻蝕設(shè)備及薄膜沉積設(shè)備的需求增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商中微公司、北方華創(chuàng)等企業(yè)或?qū)闹惺芤妗?/p>

為何刻蝕設(shè)備及薄膜沉積設(shè)備廠商會(huì)成為受益方？要理清這一邏輯，需從半導(dǎo)體設(shè)備與存儲(chǔ)芯片技術(shù)發(fā)展這兩個(gè)核心路徑展開分析。

據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，集成電路制造設(shè)備一般占集成電路制造領(lǐng)域資本性支出的70.00%至80.00%，且隨著工藝制程的提升，設(shè)備投資占比也相應(yīng)提高。當(dāng)制程達(dá)到14nm、16nm時(shí)，設(shè)備投資占比可達(dá)85.00%。另外，全球半導(dǎo)體設(shè)備2024年銷售額為1171.00億美元，在各類設(shè)備中，刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的占比分別為22.00%、23.00%。

產(chǎn)品方面，傳統(tǒng)DRAM受制于微縮停滯，密度增長(zhǎng)放緩。在邏輯芯片領(lǐng)域，受摩爾定律驅(qū)動(dòng)，處理器性能持續(xù)提升，從而導(dǎo)致了“內(nèi)存瓶頸”，即數(shù)據(jù)存取速度跟不上處理器計(jì)算能力的提升。

為了解決內(nèi)存瓶頸問題，HBM應(yīng)運(yùn)而生。據(jù)興業(yè)證券研報(bào)，HBM是一種基于堆疊技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品，其將多層DRAM芯片堆疊在基板芯片上；NAND產(chǎn)品的發(fā)展路徑與DRAM大體相同，3DNAND同樣是通過(guò)堆疊突破產(chǎn)品瓶頸。

據(jù)交銀國(guó)際研報(bào)，堆疊技術(shù)會(huì)提高薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備的使用次數(shù)。另一方面，堆疊還會(huì)提高對(duì)設(shè)備精度與技術(shù)的要求。

因此，長(zhǎng)鑫科技、長(zhǎng)江存儲(chǔ)的擴(kuò)產(chǎn)會(huì)推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)刻蝕設(shè)備及薄膜沉積設(shè)備的需求增長(zhǎng)。

中微深耕刻蝕，華創(chuàng)走向平臺(tái)

據(jù)長(zhǎng)江證券研報(bào)，2024年，刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約為28.00%，其中，中微公司、北方華創(chuàng)是國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)；薄膜沉積設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約為19.00%，國(guó)內(nèi)代表企業(yè)為北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等。

中微公司、北方華創(chuàng)均是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備頭部企業(yè)，但從收入構(gòu)成角度來(lái)看，兩家公司有著明顯的不同。前者目前仍是一家以半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備為銷售主體的半導(dǎo)體設(shè)備公司，后者則是一家產(chǎn)品矩陣豐富的平臺(tái)型設(shè)備公司。

一般而言，晶圓廠在設(shè)備采購(gòu)環(huán)節(jié)，針對(duì)同一種設(shè)備，通常需要引入兩家乃至更多供應(yīng)商。從廠商類型來(lái)看，一方面，平臺(tái)型公司能夠充分發(fā)揮不同設(shè)備間的協(xié)同效應(yīng)，具備設(shè)備間適配緊密性高、整體運(yùn)行效率優(yōu)的突出優(yōu)勢(shì)；另一方面，在某類特定設(shè)備領(lǐng)域具備核心競(jìng)爭(zhēng)力的廠商，則可聚焦自身優(yōu)勢(shì)，充分釋放該類設(shè)備在技術(shù)性能與性價(jià)比上的雙重價(jià)值。

據(jù)財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，得益于先進(jìn)邏輯器件和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品出貨量的增長(zhǎng)，2025年上半年，中微公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入49.61億元，同比增長(zhǎng)43.88%；同期，公司扣除非經(jīng)常性損益后的歸母凈利潤(rùn)為5.39億元，同比增長(zhǎng)11.49%。

報(bào)告期內(nèi)，中微公司刻蝕設(shè)備銷售收入為37.81億元，占當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入的比重為76.21%；LPCVD設(shè)備銷售收入為1.99億元，占當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入的比重為4.01%。從數(shù)據(jù)來(lái)看，刻蝕設(shè)備是公司的主要收入來(lái)源。

此外，截至2025年上半年末，中微公司賬面合同負(fù)債規(guī)模從去年同期的25.35億元增長(zhǎng)至31.65億元，創(chuàng)下歷史新高；賬面存貨也由去年同期的67.78億元增至80.78億元。合同負(fù)債、存貨可以視為訂單前瞻參考指標(biāo)，兩科目金額同步增長(zhǎng)在一定程度上意味著公司訂單持續(xù)增加。

產(chǎn)品方面，據(jù)慧博投研數(shù)據(jù)，市場(chǎng)主流的刻蝕工藝以干刻蝕為主，市場(chǎng)份額在90.00%以上。按照等離子產(chǎn)生的原理不同，刻蝕設(shè)備可以細(xì)分為ICP和CCP刻蝕設(shè)備。前者主要應(yīng)用于集成電路制造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕；后者主要應(yīng)用于集成電路制造中氧化硅、氮化硅等材料的刻蝕。

根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2022年，ICP刻蝕設(shè)備占干刻蝕市場(chǎng)的份額為47.90%，CCP設(shè)備占干刻蝕市場(chǎng)的份額為47.50%。

從財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)來(lái)看，中微公司在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域已完成布局，實(shí)現(xiàn)了ICP、CCP機(jī)型的全覆蓋。2025年上半年，中微公司CCP刻蝕設(shè)備累計(jì)裝機(jī)量超過(guò)4500個(gè)反應(yīng)臺(tái)，較2024年同期增長(zhǎng)超過(guò)900個(gè)反應(yīng)臺(tái)。另外，公司CCP刻蝕產(chǎn)品對(duì)28nm以上的大部分CCP刻蝕應(yīng)用以及28nm及以下的大部分CCP刻蝕應(yīng)用，均已實(shí)現(xiàn)較為全面的覆蓋。

報(bào)告期內(nèi)，中微公司ICP刻蝕設(shè)備已覆蓋邏輯芯片、DRAM、3DNAND、功率器件、電源管理器件及微電機(jī)系統(tǒng)等核心芯片與器件領(lǐng)域，并在50余家客戶的生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。截至2025年上半年，該公司ICP刻蝕設(shè)備的累計(jì)裝機(jī)量已超過(guò)1200個(gè)反應(yīng)臺(tái)。

更值得一提的是，據(jù)2024年業(yè)績(jī)交流會(huì)，公司刻蝕產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋包括邏輯和存儲(chǔ)器件在內(nèi)合計(jì)約95.00%的刻蝕需求。而且，據(jù)交銀國(guó)際研報(bào)，在CCP等主要產(chǎn)品線上，中微公司的技術(shù)水平處于全國(guó)領(lǐng)先地位。其中，公司的刻蝕設(shè)備具備顯著技術(shù)實(shí)力，已能夠進(jìn)入臺(tái)積電等國(guó)際一線客戶的生產(chǎn)體系，可覆蓋65nm至5nm工藝節(jié)點(diǎn)的集成電路制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。

具體來(lái)看，除了國(guó)內(nèi)廠商外，公司7nm以下刻蝕產(chǎn)品已成功進(jìn)入臺(tái)電、SK海力士等國(guó)際大廠生產(chǎn)線。另外，據(jù)交銀國(guó)際測(cè)算，從營(yíng)業(yè)收入占比角度，2024年，中微公司在全球刻蝕設(shè)備的市場(chǎng)份額約為5.10%。

北方華創(chuàng)業(yè)績(jī)更為亮眼，2024年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入298.38億元，同比增加35.14%，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為55.71億元，同比增長(zhǎng)55.53%。從數(shù)據(jù)來(lái)看，公司業(yè)績(jī)超過(guò)中芯國(guó)際、韋爾股份、瀾起科技等企業(yè)，成為A股半導(dǎo)體行業(yè)上市公司的“盈利王”。

另外，據(jù)慧博投研數(shù)據(jù)，2024年，全球半導(dǎo)體設(shè)備商TOP10合計(jì)營(yíng)業(yè)收入超過(guò)1100.00億美元。從營(yíng)業(yè)收入占比來(lái)看，北方華創(chuàng)是唯一的中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商，其2023年首次進(jìn)入全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商TOP10榜單,2024年排名由第八位提升至第六位，市場(chǎng)份額也增至3.58%。

2025年上半年，北方華創(chuàng)業(yè)績(jī)保持增長(zhǎng)。其營(yíng)業(yè)收入為161.42億元，同比增長(zhǎng)29.51%，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為31.81億元，同比增長(zhǎng)20.17%。

具體至產(chǎn)品層面，北方華創(chuàng)主要產(chǎn)品為電子工藝裝備、電子元器件兩大類。其中，電子工藝裝備類產(chǎn)品是其主要收入來(lái)源。2025年上半年，電子工藝裝備銷售收入為152.58億元，占當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入的比重為94.53%。

北方華創(chuàng)電子工藝裝備產(chǎn)品包括半導(dǎo)體裝備、真空及新能源設(shè)備。在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)領(lǐng)域，公司主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、離子注入、涂膠顯影等核心工藝裝備。下游客戶包括中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫科技等國(guó)內(nèi)廠商。

據(jù)2025年半年報(bào)，在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)已構(gòu)建起涵蓋ICP、CCP、干法去膠設(shè)備、高選擇性刻蝕設(shè)備及Bevel刻蝕設(shè)備的全系列產(chǎn)品矩陣，其刻蝕設(shè)備銷售收入超過(guò)50.00億元；在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，公司也實(shí)現(xiàn)了物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、電鍍及金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的全系布局。其薄膜沉積設(shè)備銷售收入超過(guò)65.00億元。

同期，公司熱處理設(shè)備銷售收入超過(guò)10.00億元；濕法設(shè)備銷售收入超過(guò)5.00億元；離子注入設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備也有產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，并通過(guò)收購(gòu)芯源微入局涂膠顯影市場(chǎng)。

從收入構(gòu)成角度看，北方華創(chuàng)是一家以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為主，熱處理設(shè)備、濕法設(shè)備等其他半導(dǎo)體設(shè)備為輔的平臺(tái)型設(shè)備廠商。另外，據(jù)交銀國(guó)際測(cè)算，2024年，公司設(shè)備、薄膜沉積、清洗、熱處理設(shè)備在全球半導(dǎo)體設(shè)備各細(xì)分市場(chǎng)的份額分別約為5.60%、6.90%、11.00%。

參股公司值得關(guān)注

長(zhǎng)鑫科技已經(jīng)完成上市輔導(dǎo)，標(biāo)志著這家國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭的A股上市進(jìn)程進(jìn)入沖刺階段。根據(jù)兆易創(chuàng)新于2024年3月29日披露的《關(guān)于擬對(duì)長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司增資暨關(guān)聯(lián)交易的補(bǔ)充公告》，長(zhǎng)鑫科技本輪融資的投前估值為1399.82億元。

企查查顯示，2025年10月10日，長(zhǎng)鑫科技進(jìn)行D+輪融資，融資金額為4.50億元。隨著這輪融資的落地，公司上市前資本運(yùn)作基本收尾。若其成功IPO，其股東將從中受益。

截至目前，直接持有長(zhǎng)鑫科技股份的上市公司為兆易創(chuàng)新，其持股比例為0.95%。兆易創(chuàng)新是A股中參股比例最高的上市公司，其董事長(zhǎng)朱一明同時(shí)擔(dān)任長(zhǎng)鑫科技的董事長(zhǎng)，雙方在業(yè)務(wù)上深度協(xié)同，其DRAM產(chǎn)品由長(zhǎng)鑫科技代工。據(jù)財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，2024年，兆易創(chuàng)新向長(zhǎng)鑫科技采購(gòu)商品及服務(wù)的總金額為10.18億元，同比增長(zhǎng)32.66%。

除了兆易創(chuàng)新之外，正帆科技、朗迪集團(tuán)、翱捷科技、上汽集團(tuán)、華安證券等上市公司，多借助認(rèn)購(gòu)產(chǎn)業(yè)投資基金份額、通過(guò)子公司間接出資的方式持有長(zhǎng)鑫科技股份。不過(guò)，從目前公開信息來(lái)看，這些上市公司持股比例相對(duì)較低。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)完成股份制改造，企查查顯示，2025年9月25日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)企業(yè)類型由“有限責(zé)任公司”變更為“股份有限公司”，這一動(dòng)作被視為其啟動(dòng)IPO或引入戰(zhàn)略投資者的重要前提。

截至目前，直接持有長(zhǎng)江存儲(chǔ)股份的上市公司為養(yǎng)元飲品。2025年4月26日，養(yǎng)元飲品發(fā)布對(duì)外投資公告，通過(guò)控制的泉泓投資以16.00億元對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行投資。增資完成后，公司將持有長(zhǎng)江存儲(chǔ)0.99%的股份。據(jù)此計(jì)算，長(zhǎng)江存儲(chǔ)投后估值約為1616.16億元。

間接持有長(zhǎng)江存儲(chǔ)股份的上市公司包括國(guó)脈文化、南方傳媒、當(dāng)虹科技、市北高新、東方明珠等。這些公司均通過(guò)多層股權(quán)穿透實(shí)現(xiàn)間接持股，因此，其間接持股比例低于直接持有長(zhǎng)江存儲(chǔ)股份的養(yǎng)元飲品。

從資本邏輯看，企業(yè)股改后引入戰(zhàn)略投資者將會(huì)推動(dòng)企業(yè)估值的提升，長(zhǎng)江存儲(chǔ)亦符合這一行業(yè)規(guī)律。因此，在IPO之前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)投資方同樣可以獲得估值重估所帶來(lái)的投資收益。

本文刊于10月18日出版的《證券市場(chǎng)周刊》