據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電的A14節(jié)點(diǎn)已提前實(shí)現(xiàn)了良率，重要的是，A14相比N2節(jié)點(diǎn)的預(yù)期性能提升。

據(jù)官方公布的細(xì)節(jié)，A14工藝相比即將量產(chǎn)的2nm（N2）會(huì)有非常顯著的提升。在相同功耗下，A14 的速度可以提升大約15%。如果保持速度不變，功耗能下降30%左右。芯片邏輯密度也能提高20%，

這意味著在同樣大小的芯片上，能塞進(jìn)更多晶體管，性能和能效同時(shí)得到優(yōu)化。

圖源：臺(tái)積電

實(shí)現(xiàn)這些提升的關(guān)鍵在于，臺(tái)積電采用了第二代GAAFET納米片晶體管，同時(shí)引入了全新的NanoFlex Pro標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)，讓設(shè)計(jì)更加靈活，也讓性能更上一層樓。

據(jù)悉，該工藝預(yù)計(jì)會(huì)在2028年量產(chǎn)，蘋果、AMD、英偉達(dá)等客戶被認(rèn)為是潛在的客戶。

臺(tái)積電的A14和16路線有所不同，A16以及部分2nm改進(jìn)版會(huì)采用超級(jí)電源軌（SPR）和背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），以解決功率密度問題。

A14則選擇了不依賴BSPDN的架構(gòu)，目標(biāo)是一些不需要復(fù)雜供電網(wǎng)絡(luò)、但又非?？粗匦阅芎凸钠胶獾膽?yīng)用，比如客戶端設(shè)備、邊緣計(jì)算和部分專業(yè)領(lǐng)域。

這樣做雖然增加了一定的成本，但能為這些應(yīng)用提供最合適的解決方案。

圖源：wccftech

不過，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同樣在加速追趕。英特爾計(jì)劃再購(gòu)買兩臺(tái)ASML的高NA EUV光刻機(jī)，以推進(jìn)即將推出的14A工藝。

英特爾已經(jīng)在2024年5月下過一輪訂單，這次追加采購(gòu)后，幾乎鎖定了ASML今年所有的高NA EUV產(chǎn)能，每臺(tái)設(shè)備成本高達(dá)3.7億美元。

借助這些工具，英特爾希望在14A節(jié)點(diǎn)上扳回一城。如果能在2027年前后量產(chǎn)成功，英特爾將在與臺(tái)積電和三星的高端工藝競(jìng)爭(zhēng)中重新獲得籌碼。

圖源：tweaktown

臺(tái)積電A14的提前突破，讓它繼續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先，而英特爾的14A則寄托著“生死一搏”的希望。等到2027-2028年，才是真正的高端工藝終極對(duì)決。

消息數(shù)據(jù)來源：tweaktown、：wccftech、臺(tái)積電