作為寬禁帶半導(dǎo)體的兩大代表材料，氮化鎵（GaN）目前在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，而碳化硅（SiC）則在新能源汽車的應(yīng)用場(chǎng)景中逐漸普及。這兩種第三代半導(dǎo)體材料各有千秋：GaN以其高開關(guān)頻率和低開關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)在高頻應(yīng)用中大放異彩，SiC則憑借高電壓、高溫度工作能力在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域獨(dú)樹一幟。

如今，隨著人工智能的強(qiáng)勢(shì)崛起，這兩種材料的應(yīng)用邊界正在不斷拓展，為碳化硅和氮化鎵創(chuàng)造了前所未有的增量市場(chǎng)——AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源（PSU）。

AI數(shù)據(jù)中心的電力挑戰(zhàn)：

從傳統(tǒng)到變革

生成式人工智能的火熱應(yīng)用以及AI芯片算力的爆發(fā)式增長(zhǎng)，正在重新定義數(shù)據(jù)中心的電力需求。根據(jù)英飛凌的預(yù)測(cè)，單個(gè)GPU的功耗將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，從目前的1000W激增至2030年的約2000W。與此同時(shí)，AI服務(wù)器機(jī)架的峰值功耗將達(dá)到驚人的300kW以上——這相當(dāng)于幾年前傳統(tǒng)服務(wù)器總功耗的數(shù)十倍。

更為嚴(yán)峻的是，英飛凌估計(jì)到2030年，數(shù)據(jù)中心的電力消耗可能高達(dá)全球的7%，大致相當(dāng)于印度目前的全國(guó)能源消耗量。這一數(shù)據(jù)清晰地描繪了AI帶來的高能耗危機(jī)。

在這種背景下，數(shù)據(jù)中心電源的升級(jí)換代成為關(guān)鍵突破口。目前，全球人工智能和超大規(guī)模計(jì)算數(shù)據(jù)中心的電源主要有三種規(guī)格：CRPS185、CRPS265和開放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)。由于物理尺寸固定（如CRPS185電源固定為185毫米×73.5毫米×40毫米），人工智能服務(wù)器日益增長(zhǎng)的功率需求必然要求顯著提高功率密度。

傳統(tǒng)的基于硅的設(shè)備已經(jīng)達(dá)到其性能和效率的上限。在更高電壓、更快開關(guān)頻率和更大功率密度的需求推動(dòng)下，SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體成為突破這一瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。

碳化硅與氮化鎵：

電源升級(jí)的技術(shù)雙引擎

在AI服務(wù)器電源應(yīng)用中，第三代半導(dǎo)體SiC和GaN展現(xiàn)出了明顯的互補(bǔ)性。

其中，碳化硅擁有更低的導(dǎo)通電阻（RDS (on)）與更穩(wěn)定的溫度特性，具備優(yōu)異的高電壓、高溫工作能力，在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲芯軆?yōu)化性能，尤其適合 AC-DC 轉(zhuǎn)換級(jí)的功率因數(shù)校正（PFC）應(yīng)用。

而氮化鎵則以零反向恢復(fù)電荷（Qrr）實(shí)現(xiàn)極低的開關(guān)損耗，搭配極低的輸出電容電荷（Qoss）助力實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS），其高開關(guān)頻率特性更適配高密度 CRPS 應(yīng)用，在 DC-DC 轉(zhuǎn)換級(jí)的 LLC 轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)卓越。

產(chǎn)業(yè)巨頭的技術(shù)路線與

競(jìng)爭(zhēng)格局

英飛凌

作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌在 AI 服務(wù)器電源領(lǐng)域以多產(chǎn)品線布局和清晰的技術(shù)路線圖構(gòu)建核心競(jìng)爭(zhēng)力。2024 年 6 月，英飛凌推出專為 AI 服務(wù)器 AC/DC 級(jí)開發(fā)的 CoolSiC? MOSFET 400V 系列，相比現(xiàn)有 650V SiC 和 Si MOSFET，該系列產(chǎn)品不僅導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗更低，還能將 AI 服務(wù)器電源的功率密度提升至 100W/in3 以上，效率更是高達(dá) 99.5%，較傳統(tǒng) 650V SiC MOSFET 解決方案效率提升 0.3 個(gè)百分點(diǎn)，顯著優(yōu)化了電源系統(tǒng)的能耗表現(xiàn)。針對(duì) AI 服務(wù)器常用的 54V 輸出平臺(tái)，英飛凌還開發(fā)了 3.3kW 電源專用演示板，通過整合 CoolGaN?、CoolSiC?與 CoolMOS?三種技術(shù)，實(shí)現(xiàn) 97.5% 的基準(zhǔn)綜合效率和 96W/in3 的功率密度，充分滿足數(shù)據(jù)中心對(duì)大功率電源的需求。

在技術(shù)迭代與未來規(guī)劃上，英飛凌始終將降低數(shù)據(jù)中心能耗作為核心方向。在 PCIM Asia 2024 展會(huì)上，其相關(guān)負(fù)責(zé)人明確表示，新一代 SiC MOSFET 溝槽柵技術(shù)具備更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)效率和更佳的可靠性，能夠精準(zhǔn)匹配 AI 服務(wù)器電源的高性能需求。此外，除了現(xiàn)有的 3kW 和 3.3kW 電源產(chǎn)品，英飛凌即將推出 8kW 和 12kW 全新電源，其中 12kW 參考板將成為全球首款達(dá)到該性能水平的 AI 數(shù)據(jù)中心電源，進(jìn)一步引領(lǐng)行業(yè)效率升級(jí)。

納微半導(dǎo)體（Navitas）

納微半導(dǎo)體的核心優(yōu)勢(shì)在于實(shí)現(xiàn)碳化硅與氮化鎵器件的技術(shù)融合，通過互補(bǔ)特性打造高功率密度、高效率的 AI 服務(wù)器電源解決方案。2024 年 7 月，納微基于其 GaNSafe?高功率氮化鎵功率芯片和 GeneSiC?第三代快速碳化硅功率器件，正式發(fā)布創(chuàng)新型 CRPS185 4.5kW AI 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源解決方案，該產(chǎn)品不僅實(shí)現(xiàn) 137W/in3 的超高功率密度，效率更是突破 97%，在當(dāng)前 AI 數(shù)據(jù)中心電源行業(yè)處于領(lǐng)先地位。在此之前，納微推出的 CRPS 服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì)，就已通過 SiC 與 GaN 的結(jié)合，顯著提升了電源系統(tǒng)的功率密度和能量轉(zhuǎn)換效率，為后續(xù)高功率產(chǎn)品落地奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

為應(yīng)對(duì) AI 數(shù)據(jù)中心電力需求的急劇增長(zhǎng)，納微正在加速推進(jìn)新服務(wù)器電源平臺(tái)的開發(fā)，明確提出將功率水平從現(xiàn)有 3kW 迅速提升至 10kW 的目標(biāo)，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)于 2024 年第四季度正式推出。這一規(guī)劃不僅體現(xiàn)了納微在 SiC/GaN 領(lǐng)域的技術(shù)儲(chǔ)備，也展現(xiàn)出其搶占 AI 服務(wù)器電源市場(chǎng)份額的決心，未來有望進(jìn)一步推動(dòng) SiC 與 GaN 在該領(lǐng)域的融合應(yīng)用。

安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體聚焦 AI 服務(wù)器電源對(duì)輸出功率、轉(zhuǎn)換效率、功率密度的 “三高” 核心需求，通過產(chǎn)品組合創(chuàng)新提供針對(duì)性解決方案。其推出的最新一代 T10 PowerTrench? 系列與 EliteSiC 650V MOSFET 組合，在設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了 “小封裝、高性能” 的平衡 —— 在更小的封裝尺寸內(nèi)，既保證了更高的能量轉(zhuǎn)換效率，又通過優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)提升了器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行能力，完美適配 AI 服務(wù)器電源小型化、高可靠性的要求。

其中，EliteSiC 650V SiC M3S MOSFET 是專門針對(duì)數(shù)據(jù)中心效率挑戰(zhàn)研發(fā)的核心器件，能夠滿足 Open Rack V3 (ORV3) PSU 高達(dá) 97.5% 的峰值效率要求，為電源系統(tǒng)的高效運(yùn)行提供關(guān)鍵支撐；而 T10 PowerTrench? 系列則通過先進(jìn)的封裝技術(shù)進(jìn)一步提升散熱性能，有效解決了高功率轉(zhuǎn)換過程中的熱量問題，同時(shí)兼顧了數(shù)據(jù)中心對(duì)電源小型化的需求，為客戶提供了兼顧效率與實(shí)用性的選擇。

EPC

EPC 以低壓 GaN 器件為技術(shù)核心，在重點(diǎn)布局 AI 數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域的同時(shí)，也同步拓展 GaN 器件在多場(chǎng)景的應(yīng)用，形成多元化技術(shù)布局。在 2024 年 PCIM 展會(huì)上，EPC 展示了兩款代表性產(chǎn)品：一是采用 GaN 器件的人形機(jī)器人樣品，二是搭載 EPC GaN 功率器件的自動(dòng)駕駛微型車輛車載 LiDAR 組件，充分體現(xiàn)了其 GaN 技術(shù)在工業(yè)與汽車領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

而在 AI 數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域，EPC 的定位十分明確 —— 聚焦低壓轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其可靠性事業(yè)部副總裁張勝科在接受集邦咨詢采訪時(shí)表示，EPC 的低壓 GaN 器件能夠完全滿足所有 48V 轉(zhuǎn) 12V 服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器的組件需求，憑借高開關(guān)頻率、低損耗的特性，可有效提升低壓轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的效率，為 AI 服務(wù)器電源系統(tǒng)的整體性能優(yōu)化提供關(guān)鍵支持，未來有望在低壓電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域占據(jù)重要市場(chǎng)份額。

德州儀器（TI）

德州儀器在 AI 服務(wù)器電源領(lǐng)域的布局起步較早，且注重通過合作加速技術(shù)落地與產(chǎn)品推廣。早在 2021 年，TI 就與全球知名服務(wù)器電源供應(yīng)商臺(tái)達(dá)達(dá)成合作，雙方基于 TI 的 GaN 技術(shù)和 C2000? MCU 實(shí)時(shí)控制解決方案，共同為數(shù)據(jù)中心開發(fā)高效、大功率的企業(yè)級(jí)電源，這一合作不僅縮短了技術(shù)從研發(fā)到應(yīng)用的周期，也讓 TI 的 GaN 技術(shù)在實(shí)際場(chǎng)景中得到了充分驗(yàn)證。

TI 在 GaN 技術(shù)和 C2000? MCU 實(shí)時(shí)控制解決方案上已積累十年以上的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，通過創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝，能夠穩(wěn)定生產(chǎn)高性能的硅基 GaN 器件和配套集成電路。這種技術(shù)積累不僅幫助臺(tái)達(dá)等合作伙伴打造出具有差異化優(yōu)勢(shì)的電源產(chǎn)品，還能更高效地為全球數(shù)據(jù)中心提供穩(wěn)定供電支持，體現(xiàn)了 TI 在電源控制與半導(dǎo)體器件整合方面的深厚實(shí)力，也為其在 AI 服務(wù)器電源領(lǐng)域的長(zhǎng)期發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

英偉達(dá)，怎么看？

在 AI 數(shù)據(jù)中心技術(shù)革新的浪潮中，英偉達(dá)正以行業(yè)引領(lǐng)者的身份，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體（碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN）進(jìn)入黃金發(fā)展階段，眾多寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體供應(yīng)商與硅片供應(yīng)商紛紛響應(yīng)，愿意投入新技術(shù)研發(fā)以滿足英偉達(dá)的需求。

英飛凌科技公司系統(tǒng)創(chuàng)新集團(tuán)負(fù)責(zé)人 Gerald Deboy 將英偉達(dá)比作 “指揮大師”，認(rèn)為其正引導(dǎo)全球設(shè)計(jì)出構(gòu)建和運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心的全新方法 —— 為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，英偉達(dá)不僅邀請(qǐng)了英飛凌、MPS、納微（Navitas）、羅姆、意法半導(dǎo)體、德州儀器等半導(dǎo)體企業(yè)，共同倡導(dǎo)向 800V 高壓直流（HVDC）數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施過渡，還聯(lián)合了臺(tái)達(dá)、Flex Power、Lead Wealth、光寶科技、Megmee 等電力系統(tǒng)組件供應(yīng)商，以及伊頓、施耐德電氣、Vertiv 等數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)建設(shè)公司，形成覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)推進(jìn)聯(lián)盟。

Yole Group 電力電子市場(chǎng)和技術(shù)分析師 Hassan Cheaito 指出，英偉達(dá)對(duì) AI 數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)，正為氮化鎵（GaN）創(chuàng)造類似 “碳化硅（SiC）的特斯拉時(shí)刻” 的發(fā)展機(jī)遇 —— 正如意法半導(dǎo)體早年從特斯拉推動(dòng) SiC 應(yīng)用中顯著獲益，如今英飛凌與納微也在激烈競(jìng)爭(zhēng)中，爭(zhēng)取從英偉達(dá)引領(lǐng)的新興 GaN 時(shí)代搶占先機(jī)。

英偉達(dá)推動(dòng)這一全面技術(shù)重構(gòu)的背后，有著明確的需求邏輯：其計(jì)劃于 2027 年推出 Rubin Ultra GPU 與 Vera CPU，并在機(jī)架內(nèi)部署更多集群以匹配 AI 算力增長(zhǎng)，而此前專為千瓦級(jí)機(jī)架設(shè)計(jì)的 54V 機(jī)架內(nèi)配電技術(shù)，已無法應(yīng)對(duì)新 GPU 集群所需的每機(jī)架功率提升；同時(shí)，傳統(tǒng)機(jī)架電源系統(tǒng)受限于空間限制與銅線過載的物理瓶頸，且電源鏈中反復(fù)的交直流轉(zhuǎn)換不僅能源效率低，還會(huì)增加故障風(fēng)險(xiǎn)。因此，盡管 GPU 業(yè)務(wù)并非電力核心領(lǐng)域，英偉達(dá)仍提出對(duì) AI 數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行整體重新設(shè)計(jì)，而新的 800V HVDC 架構(gòu)將催生大量新型功率器件與半導(dǎo)體需求。

具體來看，英偉達(dá)希望服務(wù)器主板直接使用 800 伏直流電，這就需要將 800 伏電壓高效轉(zhuǎn)換為負(fù)載點(diǎn)電壓，而空間限制使這一轉(zhuǎn)換極具挑戰(zhàn)。以英飛凌為例，其正研發(fā) 800 伏轉(zhuǎn) 12 伏、800 伏轉(zhuǎn) 50 伏的轉(zhuǎn)換器，以向英偉達(dá)展示技術(shù)在功率密度、效率、外形尺寸、高度等維度的優(yōu)勢(shì)。

對(duì)于不同電壓轉(zhuǎn)換場(chǎng)景所需的器件類型，英飛凌的 Deboy 進(jìn)一步解釋：在高功率、高電壓的 data center 電源基礎(chǔ)設(shè)施中，SiC 憑借耐高壓特性占據(jù)領(lǐng)先地位；而 800 伏到 50 伏的轉(zhuǎn)換因空間限制需高開關(guān)頻率，更適合 GaN 技術(shù)發(fā)揮優(yōu)勢(shì)；54 伏到 6 伏的低壓中間總線轉(zhuǎn)換（IBC）場(chǎng)景中，GaN 與硅器件均可適用。此外，新的 800V AI 數(shù)據(jù)中心還需創(chuàng)新型半導(dǎo)體繼電器 —— 傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心交流電由普通繼電器和開關(guān)控制通斷，而高壓直流系統(tǒng)為確保安全，需要 “能穩(wěn)定控制過流與浪涌電流的新型半導(dǎo)體元件”。

Yole 集團(tuán)首席技術(shù)與市場(chǎng)分析師 Poshun Chiu 將英飛凌評(píng)為 “當(dāng)前電力電子領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者”，他指出，當(dāng) AI 數(shù)據(jù)中心需要混合電力電子解決方案時(shí)，英飛凌在 SiC、GaN、硅半導(dǎo)體三大領(lǐng)域均具備強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力，能覆蓋 AI 數(shù)據(jù)中心電力鏈的每個(gè)階段，并為各階段提供適配技術(shù)。

但英飛凌并非唯一爭(zhēng)奪這一機(jī)遇的企業(yè)，納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Gene Sheridan 表示，隨著處理器研發(fā)與電力需求的關(guān)聯(lián)愈發(fā)緊密，英偉達(dá)在技術(shù)方向上掌握了更多主動(dòng)權(quán) —— 早在 48 伏技術(shù)階段，英偉達(dá)就開始主導(dǎo)設(shè)計(jì)、組件選擇與供應(yīng)商篩選，“我們每周都與英偉達(dá)合作開展評(píng)估、特性描述、基準(zhǔn)測(cè)試和原型設(shè)計(jì)，助力其找到最終解決方案”。納微不僅依托自身在 GaN 領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)提供 AI 數(shù)據(jù)中心所需的電力電子方案，還通過 2022 年收購 GeneSiC Semiconductor 完善了寬帶隙 IC 產(chǎn)品組合，業(yè)務(wù)覆蓋傳統(tǒng)交直流轉(zhuǎn)換器、800 伏直流轉(zhuǎn)換器，以及 “48 伏以下為處理器供電” 的近處理器供電技術(shù)；更值得關(guān)注的是，納微通過收購獲得的業(yè)內(nèi)最高電壓 SiC 技術(shù)，為其開辟了新賽道 —— 該技術(shù)對(duì)開發(fā)連接電網(wǎng)的 “固態(tài)變壓器” 至關(guān)重要，Sheridan 認(rèn)為，除數(shù)據(jù)中心外，全球電網(wǎng)升級(jí)、城市與家庭供電優(yōu)化、可再生能源接入等場(chǎng)景，未來都將依賴固態(tài)變壓器，這為 SiC 技術(shù)帶來了更廣闊的應(yīng)用空間。

不過，英偉達(dá)的技術(shù)推動(dòng)也引發(fā)了行業(yè)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)格局的思考：目前尚不確定谷歌、Meta 等超大規(guī)模企業(yè)，在 2027 年底英偉達(dá)推出 Rubin Ultra（預(yù)期適配 800V HVDC）前會(huì)如何應(yīng)對(duì)。英飛凌的 Deboy 指出，英偉達(dá)提前公布數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施計(jì)劃，雖成功主導(dǎo)了行業(yè)對(duì)話，但可能使開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）逐漸過時(shí) —— 過去 OCP 在數(shù)據(jù)中心外形尺寸與機(jī)架級(jí)標(biāo)準(zhǔn)化中發(fā)揮核心作用，而如今 “OCP 進(jìn)展過慢”，若中間階段出現(xiàn)差異化架構(gòu)，可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心重新陷入 “技術(shù)叢林”，即各解決方案不再兼容，回到 OCP 標(biāo)準(zhǔn)化前的混亂狀態(tài)。這一趨勢(shì)可能迫使電力電子設(shè)備供應(yīng)商，需同時(shí)為擁有不同技術(shù)路線圖的多家超大規(guī)模企業(yè)提供服務(wù)，進(jìn)一步加劇市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

從市場(chǎng)前景來看，Yole Group 預(yù)測(cè)在 AI 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)中，GaN 的增長(zhǎng)速度將超過 SiC：SiC 主要聚焦于交直流轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，而用于直流轉(zhuǎn)換的 GaN 憑借更高電壓潛力，還可拓展至交直流轉(zhuǎn)換領(lǐng)域?！氨M管未來三到五年 SiC 有大約 1 億美元的市場(chǎng)增長(zhǎng)空間，但 GaN 的市場(chǎng)機(jī)會(huì)顯然更大”，Chiu 補(bǔ)充道，這一差異不僅源于技術(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的廣度，更得益于英偉達(dá)推動(dòng)的 800V HVDC 架構(gòu)對(duì) GaN 高開關(guān)頻率、低損耗特性的需求釋放，為 GaN 技術(shù)打開了更大的市場(chǎng)增量空間。

把握第三代半導(dǎo)體AI機(jī)遇，

盡在灣芯展 2025

2025 年灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱 “灣芯展”）將于10 月 15—17 日在深圳會(huì)展中心（福田）盛大開幕。作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的年度盛會(huì)，本屆展會(huì)規(guī)模擴(kuò)容 50%，展示面積突破 60,000 平方米，匯聚 600 + 全球頭部企業(yè)，預(yù)計(jì)吸引 60,000 名專業(yè)觀眾，共同見證第三代半導(dǎo)體與 AI 數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的創(chuàng)新成果與無限商機(jī)。

在 AI 數(shù)據(jù)中心加速向 “高效能、高密度” 升級(jí)的時(shí)代，灣芯展將重點(diǎn)展示碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體核心器件，以及基于這些技術(shù)的前沿解決方案，全面呈現(xiàn)其在 AI 算力中心、超算平臺(tái)、高密度服務(wù)器中的應(yīng)用突破。無論是 SiC 器件助力高壓電源系統(tǒng)降本增效，還是 GaN 技術(shù)推動(dòng)低壓轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)性能躍升，都將在這里得到最直觀的呈現(xiàn)；同時(shí)，來自國(guó)內(nèi)外的第三代半導(dǎo)體巨頭與 AI 數(shù)據(jù)中心電源創(chuàng)新企業(yè)，將帶來最新產(chǎn)品與技術(shù)方案，為產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)創(chuàng)造深度技術(shù)交流與合作對(duì)接的契機(jī)。

區(qū)別于傳統(tǒng)展會(huì)，2025 灣芯展首創(chuàng) “項(xiàng)目采購展” 模式和全年服務(wù)體系，貫穿展前精準(zhǔn)匹配供需、展中高效商務(wù)對(duì)接、展后持續(xù)跟蹤合作，切實(shí)推動(dòng)百億級(jí)產(chǎn)業(yè)合作落地。作為連接全球第三代半導(dǎo)體與 AI 數(shù)據(jù)中心生態(tài)的重要橋梁，灣芯展將助力中國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)從 “跟跑” 到 “領(lǐng)跑” 的跨越，成為企業(yè)開拓市場(chǎng)、拓展合作、洞察行業(yè)趨勢(shì)的首選平臺(tái)。

半導(dǎo)體行業(yè)觀察&灣芯展

邊緣AI賦能硬件未來創(chuàng)新論壇

2025.10.15

深圳會(huì)展中心（福田）

9:00-9:50

觀眾簽到入場(chǎng)

9:50-10:00

開幕致辭

深芯盟

執(zhí)行秘書長(zhǎng) 張建

10:00-10:20

面向個(gè)人智能體的端側(cè)大模型芯片

深港微電子學(xué)院

副院長(zhǎng) 余浩教授

10:20-10:40

釋放端側(cè)AI潛力，NPU助力開啟硬件創(chuàng)新“芯”時(shí)代

安謀科技 Arm China

產(chǎn)品總監(jiān) 鮑敏祺

10:40-11:00

打造智算時(shí)代的新質(zhì)生產(chǎn)力

深圳云天勵(lì)飛技術(shù)股份有限公司

副總裁 羅憶

11:00-11:20

AI賦能，揚(yáng)帆出海

中國(guó)聯(lián)通

總監(jiān) 楊程

11:20-11:40

海外云計(jì)算與AI應(yīng)用的made in china情懷

浪潮云

高級(jí)戰(zhàn)略總監(jiān) 張晟彬

11:40-12:00

創(chuàng)新 RISC-V 架構(gòu)——鑄建新一代智算未來

阿里巴巴達(dá)摩院（杭州）科技有限公司

商務(wù)拓展負(fù)責(zé)任人 李玨

12:00-13:30

午休&抽獎(jiǎng)

13:30-13:50

中國(guó)電信國(guó)際公司大灣區(qū)市場(chǎng)洞察

中國(guó)電信

信息科技客戶部總經(jīng)理 張黎明

13:50-14:10

AI新時(shí)代下的“通推一體”處理器

知合計(jì)算技術(shù)（上海）有限公司

首席科學(xué)家 蘇中

14:10-14:30

大模型部署的規(guī)?；瘜?shí)踐

魔形智能科技（上海）有限公司

創(chuàng)始人 金琛

14:30-14:50

光計(jì)算系統(tǒng)重構(gòu)智算基建新范式

光本位智能科技(上海)有限公司

產(chǎn)品與市場(chǎng)副總裁 姚金鑫

14:50-15:10

聯(lián)想凌拓半導(dǎo)體行業(yè)高效存儲(chǔ)解決方案

聯(lián)想凌拓科技有限公司

半導(dǎo)體部總經(jīng)理 余曉丹

15:10-15:30

預(yù)見未來：大模型+工程智能賦能半導(dǎo)體未來工廠“制造革命”

深圳智現(xiàn)未來工業(yè)軟件有限公司

副總裁 朱軍

15:30-15:50

AI芯片測(cè)試技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)

工業(yè)和信息化部電子第五研究所

副主任 王之哲

15:50-16:20

圓桌&抽獎(jiǎng)

**最終議程以現(xiàn)場(chǎng)為主

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第三代半導(dǎo)體的黃金時(shí)代

人工智能的蓬勃發(fā)展為第三代半導(dǎo)體開辟了一個(gè)全新的增量市場(chǎng)。在這個(gè)市場(chǎng)中，碳化硅和氮化鎵不再是單純的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，而是形成了優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的協(xié)同效應(yīng)。

對(duì)于碳化硅而言， AI數(shù)據(jù)中心提供了從新能源汽車之外的第二個(gè)重要增長(zhǎng)引擎。其在高電壓、高功率PFC應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)使其成為AI服務(wù)器電源不可或缺的核心器件。

對(duì)于氮化鎵而言， AI數(shù)據(jù)中心的高頻、高密度需求為其提供了從消費(fèi)電子快充領(lǐng)域擴(kuò)展的重要機(jī)遇。其在DC-DC轉(zhuǎn)換中的卓越表現(xiàn)正在重新定義電源轉(zhuǎn)換效率的標(biāo)準(zhǔn)。

隨著英偉達(dá)等行業(yè)巨頭推動(dòng)的800V HVDC架構(gòu)變革，以及各大半導(dǎo)體廠商在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化方面的持續(xù)投入，我們有理由相信，第三代半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用將迎來一個(gè)黃金發(fā)展期。這不僅將推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，也將為實(shí)現(xiàn)更加綠色、高效的數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施做出重要貢獻(xiàn)。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

今天是《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》為您分享的第4187期內(nèi)容，歡迎關(guān)注。

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